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周智慧

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇熔体
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇磷
  • 1篇硫
  • 1篇INP单晶

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇孙聂枫
  • 1篇孙同年
  • 1篇董彦辉
  • 1篇杨光耀
  • 1篇周晓龙
  • 1篇刘二海
  • 1篇李光平
  • 1篇徐永强
  • 1篇安娜
  • 1篇谢德良
  • 1篇周智慧

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：5
2004年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In
周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘二海李光平周智慧董彦辉孙同年
关键词：位错密度
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共1页<1>
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