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安娜

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇离子注入
  • 2篇P
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇电路
  • 1篇英文
  • 1篇熔体
  • 1篇束缚能
  • 1篇数值模拟
  • 1篇退火
  • 1篇退火过程
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇扩散
  • 1篇集成电路
  • 1篇磷
  • 1篇硫
  • 1篇硼
  • 1篇INP单晶
  • 1篇值模拟

机构

  • 3篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇安娜
  • 2篇夏建新
  • 1篇孙聂枫
  • 1篇孙同年
  • 1篇董彦辉
  • 1篇杨光耀
  • 1篇周晓龙
  • 1篇刘二海
  • 1篇李光平
  • 1篇励晔
  • 1篇徐永强
  • 1篇谢德良
  • 1篇周智慧

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
离子注入中硼在R_p缺陷的析出模型(英文)
2004年
建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的Rp缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为超浅结工艺模拟提供了基本模型,对于开发下一代集成电路研制的工艺模拟程序有着非常重要的意义。
安娜夏建新
关键词：离子注入硼集成电路
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：5
2004年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In
周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘二海李光平周智慧董彦辉孙同年
关键词：位错密度
退火过程中R_P缺陷模型及数值模拟
2005年
根据一维动力学方程,提出了RP缺陷的演化模型,用于描述离子注入后硼杂质分布在退火过程中出现异常变化的物理现象.通过分析发现缺陷随退火时间呈指数变化,根据变化的时间常数与RP缺陷对间隙原子束缚能的大小有关的原理,提出RP缺陷对间隙原子的束缚能为2.41eV.将该模型模拟硼杂质随退火时间的分布时,得到缺陷的分布与硼原子的分布变化趋势一致,且变化的时间常数相近,这给出了退火中硼出现异常分布的一种新的解释.
励晔夏建新安娜
关键词：束缚能离子注入退火
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共1页<1>
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