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刘二海

作品数：5 被引量：10H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇单晶
  • 3篇位错
  • 3篇INP单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇位错密度
  • 2篇磷化铟
  • 2篇硫
  • 2篇INP
  • 1篇单晶材料
  • 1篇单晶片
  • 1篇直径
  • 1篇熔体
  • 1篇位错分布
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇磷
  • 1篇EPD

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 5篇孙聂枫
  • 5篇孙同年
  • 5篇刘二海
  • 3篇谢德良
  • 2篇杨光耀
  • 2篇周晓龙
  • 2篇徐永强
  • 2篇杨光耀
  • 2篇谢德良
  • 1篇董彦辉
  • 1篇杨光耀
  • 1篇周晓龙
  • 1篇曹立新
  • 1篇李光平
  • 1篇齐志华
  • 1篇杨克武
  • 1篇安国雨
  • 1篇赵彦军
  • 1篇赵彦军
  • 1篇徐永强

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 3篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
直径4″InP单晶生长研究
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所...
孙聂枫杨光耀陈秉克徐永强曹立新赵彦军安国雨齐志华谢德良刘二海周晓龙杨克武赵正平孙同年
关键词：半导体材料单晶生长
文献传递
Φ100mm掺硫InP单晶生长研究被引量：6
2004年
InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域。为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究。首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率。采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性。制备出100mm掺硫InP整锭<100>InP单晶和单晶片。经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3。本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70°或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生。
徐永强李贤臣孙聂枫杨光耀周晓龙谢德良刘二海孙同年
关键词：磷化铟单晶生长位错密度
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展...
周晓龙孙聂枫赵彦军杨克武杨光耀谢德良刘二海孙同年
关键词：磷化铟EPD位错分布晶体生长
文献传递
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：5
2004年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In
周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘二海李光平周智慧董彦辉孙同年
关键词：位错密度
不同熔体配比的InP分析研究被引量：5
1999年
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果， 对研究非掺杂半绝缘 Ｉｎ
孙聂枫陈旭东杨光耀赵有文谢德良刘二海刘思林孙同年
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