李光平
- 作品数：12 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信天文地球理学自动化与计算机技术更多>>
- 近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
- 李光平何秀坤王琴
- 关键词：半导体材料
- X射线荧光法快速测定硅铝合金中的硅含量被引量：5
- 2005年
- 本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- 关键词：硅铝合金硅
- Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究
- 2003年
- 本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱 和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性。结果表明,GaAs表面经过硫钝化处理后,可 大大降低复合速度改善发光效率。
- 李静任殿胜李光平严如岳汝琼娜董颜辉
- 关键词：砷化镓发光效率光荧光谱化合物半导体
- 半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量技术
- 本文介绍了使用通用计算机外部控制PE Lambda—9分光光度计,形成了数据处理工作站,利用此工作站与样品架微动装置组成了一套自动测量半绝缘砷化镓中EL浓度微区分布的测试系统。
- 李光平李静汝琼娜
- 关键词：半绝缘砷化镓自动测量系统
- 文献传递
- Ｓｉ－ＧａＡｓ中ＥＬ２浓度微区分布自动测量系统研究
- 李光平汝琼娜
- 关键词：砷化镓半导体材料半绝缘体微区分析
- X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用
- 2009年
- 本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- 关键词：镍电极
- 硅中氧、碳微区测量技术的研究
- 硅半导体超大规模集成电路的高速发展对硅材料质量也提出了更高的要求。硅单晶中间隙氧为电中性非金属杂质,主要显非电活性,氧的"钉扎"作用可使硅晶体机械强度提高,但是经热处理后,氧从电中性变为浅施主,对器件产生有害的影响。硅中...
- 汝琼娜李光平何秀坤李静
- 关键词：碳含量
- 文献传递
- X荧光更换X光管后定量测试方法研究
- 2011年
- 本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后,经过测试及数据处理,可以采用之前X光管测试的样品做标样,然后对新样品进行测试,而不用新的标样。结果表明,该方法定量准确、干扰因素小,可以大大节约制作标样的时间及成本。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- X射线荧光法快速测定蒙脱石(固态)中的铝含量被引量：3
- 2011年
- 本文介绍采用X射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小,且快速、准确等特点。
- 董彦辉李光平郑庆瑜
- 关键词：X蒙脱石铝
- 近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用
- 李光平何秀坤王琴
- 关键词：半导体化学硅氧砷化镓碳
