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杨光耀

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇磷化铟
  • 2篇INP
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇位错
  • 1篇位错分布
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇合成技术
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇磷
  • 1篇EPD
  • 1篇大容量

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇孙聂枫
  • 3篇孙同年
  • 3篇杨光耀
  • 2篇谢德良
  • 2篇刘二海
  • 2篇赵彦军
  • 2篇周晓龙
  • 2篇杨克武
  • 1篇付建德
  • 1篇陈旭东
  • 1篇陈秉克

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇半导体情报

年份

  • 2篇2004
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展...
周晓龙孙聂枫赵彦军杨克武杨光耀谢德良刘二海孙同年
关键词：磷化铟EPD位错分布晶体生长
文献传递
快速大容量磷注入合成磷化铟技术
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸InP单晶.本文讨论了合成InP多晶和...
孙聂枫周晓龙陈秉克杨光耀付建德赵彦军杨克武孙同年
关键词：磷化铟合成技术半导体材料
文献传递
不同熔体配比的InP分析研究被引量：5
1999年
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果， 对研究非掺杂半绝缘 Ｉｎ
孙聂枫陈旭东杨光耀赵有文谢德良刘二海刘思林孙同年
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