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杨克武

作品数：4 被引量：34H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇磷化铟
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电流崩塌
  • 1篇电流崩塌效应
  • 1篇碳化硅
  • 1篇位错
  • 1篇位错分布
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇合成技术
  • 1篇半导体器件
  • 1篇磷
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇EPD
  • 1篇HFET
  • 1篇INP

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 4篇杨克武
  • 2篇孙聂枫
  • 2篇孙同年
  • 2篇赵彦军
  • 2篇周晓龙
  • 2篇杨光耀
  • 1篇冯震
  • 1篇谢德良
  • 1篇杨银堂
  • 1篇付建德
  • 1篇刘二海
  • 1篇张志国
  • 1篇潘静
  • 1篇宋建博
  • 1篇陈秉克

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2004
  • 1篇2000
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展...
周晓龙孙聂枫赵彦军杨克武杨光耀谢德良刘二海孙同年
关键词：磷化铟EPD位错分布晶体生长
文献传递
SiC半导体材料及其器件应用被引量：34
2000年
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。
杨克武潘静杨银堂
关键词：半导体材料半导体器件碳化硅
AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应的研究
＜正＞AlGaN/GaN HFET 的电流崩塌效应是指当器件栅、漏为脉冲或微波信号时器件膝电压增加,饱
张志国冯震杨梦丽宋建博杨克武
文献传递
快速大容量磷注入合成磷化铟技术
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸InP单晶.本文讨论了合成InP多晶和...
孙聂枫周晓龙陈秉克杨光耀付建德赵彦军杨克武孙同年
关键词：磷化铟合成技术半导体材料
文献传递
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