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谢德良

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇INP
  • 1篇单晶片
  • 1篇单晶生长
  • 1篇直径
  • 1篇位错
  • 1篇位错分布
  • 1篇磷化铟
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇EPD
  • 1篇INP单晶

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 3篇孙聂枫
  • 3篇孙同年
  • 3篇谢德良
  • 3篇刘二海
  • 2篇杨光耀
  • 1篇杨光耀
  • 1篇周晓龙
  • 1篇曹立新
  • 1篇齐志华
  • 1篇杨克武
  • 1篇安国雨
  • 1篇赵彦军
  • 1篇赵彦军
  • 1篇徐永强
  • 1篇赵正平
  • 1篇陈旭东
  • 1篇周晓龙
  • 1篇杨克武
  • 1篇陈秉克

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展...
周晓龙孙聂枫赵彦军杨克武杨光耀谢德良刘二海孙同年
关键词：磷化铟EPD位错分布晶体生长
文献传递
直径4″InP单晶生长研究
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所...
孙聂枫杨光耀陈秉克徐永强曹立新赵彦军安国雨齐志华谢德良刘二海周晓龙杨克武赵正平孙同年
关键词：半导体材料单晶生长
文献传递
不同熔体配比的InP分析研究被引量：5
1999年
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果， 对研究非掺杂半绝缘 Ｉｎ
孙聂枫陈旭东杨光耀赵有文谢德良刘二海刘思林孙同年
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