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陈旭东

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇INP

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇孙聂枫
  • 1篇孙同年
  • 1篇谢德良
  • 1篇刘二海
  • 1篇陈旭东
  • 1篇杨光耀

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
不同熔体配比的InP分析研究被引量：5
1999年
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行了 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｐ Ｌ、变温 Ｈａｌｌ等测试工作， 得到了一些相当有意义的结果， 对研究非掺杂半绝缘 Ｉｎ
孙聂枫陈旭东杨光耀赵有文谢德良刘二海刘思林孙同年
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