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黄勇

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 6个电子电信
  • 3个文化科学
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  • 2个自动化与计算...
  • 1个经济管理
  • 1个生物学
  • 1个动力工程及工...
  • 1个一般工业技术
  • 1个政治法律
  • 1个理学

主题

  • 6个栅介质
  • 6个高K栅介质
  • 4个等离子体处理
  • 4个电流模型
  • 4个短沟道
  • 4个短沟道效应
  • 4个氧化物半导体
  • 4个全耗尽
  • 4个阈值电压
  • 4个界面层
  • 4个金属氧化物半...
  • 4个金属氧化物半...
  • 4个绝缘
  • 4个绝缘体
  • 4个跨导
  • 4个沟道
  • 4个沟道效应
  • 2个单片
  • 2个单片机
  • 2个电特性

机构

  • 6个华中科技大学
  • 1个华中理工大学

资助

  • 6个国家自然科学...
  • 2个中央高校基本...
  • 1个高等学校骨干...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个湖北省自然科...
  • 1个山东省教育厅...
  • 1个国家教育部博...
  • 1个国家重点实验...
  • 1个湖南省教育厅...
  • 1个江苏省高校自...

传媒

  • 4个物理学报
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  • 2个课程教育研究
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  • 1个电力电子技术
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  • 1个传感技术学报
  • 1个电子器件
  • 1个微电子技术
  • 1个光通信研究

地区

  • 6个湖北省
共 6 条 记 录，以下是 1-6
徐静平
供职机构：华中科技大学
研究主题：高K栅介质 MOS电容 MOSFET 栅介质 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘璐
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题：存储器 高K栅介质 空间电压 储层 空间矢量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范敏敏
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题：高K栅介质 MOSFET 锗 跨导 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉蓉
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题：高K栅介质 MOSFET 锗 跨导 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗权
供职机构：华中科技大学
研究主题：高K栅介质 表面钝化 MOS NH 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晓宇
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题：表面钝化 MOS NH 高K栅介质 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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