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刘璐: 作品数：13 被引量：62H指数：2; 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术文化科学更多>>

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AT89S52单片机在电压空间矢量控制中的应用研究被引量：1: 2005年; 结合电压空间矢量控制算法的基本原理,提出了一种采用8位单片机控制输出脉宽调制信号的方法,概述了整个硬件组成和软件设计方法,并给出实验数据,波形稳定可靠。; 刘璐余岳辉张卫丰; 关键词：单片机 SVPWM逆变器控制电路

LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较被引量：2: 2013年; 本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性.实验结果表明,LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性.其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率,较小的O扩散系数减少了界面陷阱,从而减少了保持期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏.而且N的结合在界面附近形成了强的La-N,Hf-N和O-N键,可有效降低编程/擦除循环应力对界面的损伤,使器件具有好的疲劳特性.此外,研究了退火温度对存储特性的影响,结果表明800 C退火样品的存储特性比700 C退火的好,这是因为800 C时NO退火可在LaON(HfON)中引入更多的N,且能更好释放应力,使介质中缺陷减少.; 何美林徐静平陈建雄刘璐; 关键词：HFON

YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究被引量：1: 2017年; 本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET(1.66 nm),较大的k值(18.8),较低的界面态密度(7.79×10^(11)e V^(-1)cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-4.83×10^(12)cm^(-2)),低的栅极漏电流(3.40×10^(-4)A/cm^2@V_g=V_(fb)+1 V)以及好的高场应力可靠性.; 程智翔徐钦刘璐; 关键词：界面态密度

三电平逆变器空间电压矢量控制算法仿真研究被引量：29: 2006年; 分析了三电平空间电压矢量调制基本原理,提出了一种首发矢量全部采用正小矢量或负小矢量的空间矢量调制(SpaceVectorMdulation,SVM)算法,给出了小三角形区域判断规则、合成参考电压矢量的相应输出电压矢量的作用顺序和(SpaceVectorPulseWidthMdulation,SVPWM)信号的产生方法,探讨了影响三电平逆变器中点电压平衡的主要因素,并推导了各合成电压矢量的作用时间。用归一法将其他5扇区全部划归一扇区计算。仿真实验结果证实了本文提出的空间电压矢量调制算法的有效性。; 张卫丰余岳辉刘璐; 关键词：逆变器空间矢量中点电压平衡

GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响: 2013年; 采用反应溅射法制备以GdOx或GdON为存储层的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si)电容存储器,研究了GdOx中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd-Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13V/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。; 李育强刘璐朱剑云徐静平; 关键词：氧化钆

高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计: 2014年; 通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高κ栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的阈值电压和亚阈斜率解析模型,研究了器件主要结构参数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、漏极感应势垒降低效应及衬偏效应的影响,提出了优化器件性能的结构参数设计原则及取值范围,模拟结果与TCAD仿真结果符合较好,证实了模型的正确性与实用性。; 范敏敏徐静平刘璐白玉蓉黄勇; 关键词：GEOI MOSFET 阈值电压短沟道效应

一种基于IPM的简化空间矢量PWM研究被引量：1: 2006年; 基于智能功率模块(IPM),提出了一种简化的以三相相电压的大小来判断具体扇区的空间矢量脉宽调制(SVPWM)算法,分析了算法原理,并给出了算法流程.在不同载波比N和调制度M下,用MATLAB软件对参考电压矢量各扇区分布、调制信号、直流电压利用率及输出电压谐波等进行了仿真研究,分析得出N影响到参考电压矢量扇区分布和谐波性能,M将影响到调制波形、直流电压利用率和谐波含量,合适的N和M有利于提高SVPWM总体性能.利用TMS320F2812DSP进行了实验,验证了算法的有效性.; 张卫丰余岳辉刘璐彭亚斌; 关键词：空间矢量脉宽调制智能功率模块谐波

超高速半导体开关RSD的开通机理与大电流特性研究被引量：25: 2005年; 基于反向注入控制RSD(ReverselySwitchedDynistor)的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用。本文研究了RSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量。; 余岳辉梁琳李谋涛刘玉华刘璐; 关键词：大功率开关 RSD 开通特性脉冲

高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型: 2014年; 通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷,建立了高k栅介质小尺寸绝缘体上锗(Ge OI)p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的漏源电流解析模型.模型包括了速度饱和效应、迁移率调制效应和沟长调制效应,同时考虑了栅氧化层和埋氧层与沟道界面处的界面陷阱电荷、氧化层固定电荷对漏源电流的影响.在饱和区和非饱和区,漏源电流模拟结果与实验数据符合得较好,证实了模型的正确性和实用性.利用建立的漏源电流模型模拟分析了器件主要结构和物理参数对跨导、漏导、截止频率和电压增益的影响,对Ge OI PMOSFET的设计具有一定的指导作用.; 白玉蓉徐静平刘璐范敏敏黄勇程智翔; 关键词：跨导

NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1: 2017年; 制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值(25.9)、更低的界面态密度(6.72×10^(11) eV-1·cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-9.43×10^(11) cm^(-2)),以及更小的栅极漏电流(5.18×10^(-5) A/cm^2@V_g=1V+V_(fb))。原因在于NH3等离子体分解产生的N原子或H原子以及NH基团能有效钝化界面附近的悬挂键和缺陷态,防止GeO_x低k界面层的形成,N原子的结合也增加了介质的热稳定性。; 罗权徐静平刘璐程智翔黄勇刘晓宇; 关键词：高K栅介质等离子体处理表面钝化界面层

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