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刘晓宇

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体处理
  • 1篇栅介质
  • 1篇界面层
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇NH
  • 1篇MOS
  • 1篇表面钝化

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇徐静平
  • 1篇刘璐
  • 1篇黄勇
  • 1篇罗权
  • 1篇刘晓宇

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1
2017年
制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值(25.9)、更低的界面态密度(6.72×10^(11) eV-1·cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-9.43×10^(11) cm^(-2)),以及更小的栅极漏电流(5.18×10^(-5) A/cm^2@V_g=1V+V_(fb))。原因在于NH3等离子体分解产生的N原子或H原子以及NH基团能有效钝化界面附近的悬挂键和缺陷态,防止GeO_x低k界面层的形成,N原子的结合也增加了介质的热稳定性。
罗权徐静平刘璐程智翔黄勇刘晓宇
关键词：高K栅介质等离子体处理表面钝化界面层
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