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董彦辉

作品数:10 被引量:17H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信天文地球农业科学理学更多>>

领域

  • 15个电子电信
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  • 2个农业科学
  • 1个经济管理
  • 1个交通运输工程
  • 1个医药卫生

主题

  • 10个单晶
  • 10个单晶材料
  • 10个熔体
  • 10个位错
  • 10个位错密度
  • 10个
  • 10个
  • 10个INP单晶
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  • 5个砷化镓
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  • 3个单晶片
  • 3个单晶制备
  • 3个单片
  • 3个电路板
  • 3个印刷电路
  • 3个印刷电路板

机构

  • 7个中国电子科技...
  • 6个中国电子科技...
  • 3个信息产业部
  • 3个中国电子科技...
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  • 2个专用集成电路...
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  • 1个中国科学院
  • 1个中华人民共和...
  • 1个中华人民共和...
  • 1个天津电子材料...

资助

  • 10个国家自然科学...
  • 3个天津市自然科...
  • 3个河北省自然科...
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  • 2个国家科技重大...
  • 2个国家教育部博...
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传媒

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  • 3个电子质量
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  • 3个第十三届全国...
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  • 2个第三届中国国...
  • 2个第十六届全国...
  • 1个核技术

地区

  • 7个河北省
  • 6个天津市
  • 1个江苏省
  • 1个四川省
15 条 记 录,以下是 1-10
李光平
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:砷化镓 硅 碳 半导体材料 光荧光谱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑庆瑜
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:半绝缘砷化镓 TSC 热激电流 硅 硅铝合金
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张永华
供职机构:江南计算技术研究所
研究主题:带状线 高频 印制电路板 谐振器 复介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兆枫
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:GHZ 介质损耗 介电性能 介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙同年
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘二海
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周智慧
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:INP单晶 硫 磷 单晶材料 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨光耀
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐永强
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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