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张浩

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：天津理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇微结构
  • 1篇FE掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁性

机构

  • 1篇天津理工大学
  • 1篇北京航天计量...

作者

  • 1篇刘技文
  • 1篇安玉凯
  • 1篇吴华阳
  • 1篇冯德强
  • 1篇孙会杰
  • 1篇陈艳红
  • 1篇张浩

传媒

  • 1篇天津理工大学...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Fe掺杂In_2O_3薄膜的微结构与磁、输运性能被引量：3
2012年
采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.
陈艳红冯德强吴华阳张浩孙会杰刘技文安玉凯
关键词：FE掺杂微结构磁性
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