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Fe掺杂In_2O_3薄膜的微结构与磁、输运性能被引量：3: 2012年; 采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.; 陈艳红冯德强吴华阳张浩孙会杰刘技文安玉凯; 关键词：FE掺杂微结构磁性

Fe基In/_2O/_3和SiC稀磁半导体薄膜的局域结构与磁、输运性能: 本论文采用射频磁控溅射法分别制备了不同Fe掺杂浓度的In/_2O/_3和SiC稀磁半导体薄膜。利用XRD、SEM、XPS、XAFS、SQUID、HALL、R-T以及U-V等表征测试方法系统地研究了In/_2O/_3和Si...; 冯德强; 关键词：局域结构磁性; 文献传递

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冯德强