安玉凯
- 作品数：13 被引量：14H指数：2
- 供职机构：天津理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目天津市科技计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3/SrTiO_3薄膜厚度对其结构及磁学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3(LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长·LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随着薄膜厚度的增加,面内晶格参数增加,垂直于面内的晶格参数减小,晶格参数a和b相近,略小于c·LCMO薄膜内处于应变状态,由于薄膜与衬底的晶格失配,LCMO面内受到拉应力,垂直于面内受到了压应力·LCMO薄膜在qz方向存在轻微的镶嵌结构,并且在qz方向LCMO薄膜与STO衬底存在约0.1°的取向差.薄膜的磁电阻与薄膜的应变状态密切相关,随着薄膜厚度的增加,磁电阻减小.
- 张红娣安玉凯麦振洪高炬胡凤霞王勇贾全杰
- 关键词：X射线衍射微结构物理性能
- 新型低碳Cr-Mo系合金钢淬火态的金相组织研究被引量：1
- 2009年
- 对新型低碳Cr-Mo系合金钢轧态试样采用不同淬火工艺进行热处理,并利用金相显微镜、扫描电子显微镜研究了淬火工艺对试验钢显微组织的影响规律.结果表明:随淬火加热温度的升高以及保温时间的延长,金相组织发生粗化.最佳的淬火工艺为:加热到920℃保温30 min后水淬,得到的组织为低碳马氏体,且均匀、细小,晶粒度达到8.5级以上,可获得的优异强韧性.
- 齐菲田华赵捷安玉凯刘技文
- 关键词：淬火金相组织晶粒度
- 衬底温度对反应溅射TiN_x薄膜结构与电阻率的影响被引量：4
- 2010年
- 采用反应磁控溅射方法,在不同Si(100)衬底温度下,制备出了TiNx薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对TiNx薄膜的物相、微观结构进行了表征,采用电子能谱仪(EDS)测定了TiNx薄膜的成分,运用四探针测试仪测量了TiNx薄膜的电阻率,研究了衬底温度对溅射TiNx薄膜结构与电阻率的影响。研究结果表明:衬底温度从室温升高到600℃时,随着温度升高,TiNx薄膜的(111)晶面衍射峰逐渐增强,500℃后减弱;(200)晶面衍射峰在300℃时最强,之后减弱。随着衬底温度的升高,TiNx薄膜的晶粒逐渐增大,300℃达最大后减小。随着衬底温度升高,TiNx薄膜的N/Ti原子含量比降低,200℃时降到最低为0.99,随后升高,500℃时最高为1.34,随后再次降低。N/Ti原子含量比与薄膜电阻率呈明显反比变化。
- 安玉凯刘雅泉刘技文
- 关键词：反应磁控溅射电阻率
- SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维的制备和场发射性能研究被引量：2
- 2008年
- 采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征。比较了SiC纳米纤维和碳纳米管模板的场发射性能,研究了SiC纳米纤维直径的变化对其绝对场增强因子的影响。结果表明:SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维具有特殊的"树状"结构,顶端及"树枝"中分布着大量的SiC纳米晶粒。SiC纳米晶粒以及特殊的分支结构增强了SiC纳米纤维的场发射性能,开启场强低至1.1V/μm,仅为相同直径碳纳米管模板的1/2。随着SiC纳米纤维直径的减小,绝对场增强因子β0呈明显增大趋势。
- 鲁博刘技文刘雅泉安玉凯马永昌
- 关键词：SIC纳米纤维场发射性能
- 磁性金属多层膜微结构及其与磁性能关系的研究
- 自1988年在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应以来，由于其内在的物理机制和广泛的应用背景一直吸引着人们的注意。大量的研究表明，磁性金属多层膜的磁、电输运性质与其微结构密切相关。因此，磁性金属多层膜微结构与性能...
- 安玉凯
- 关键词：X射线微结构金属多层膜巨磁电阻磁性能
- 文献传递
- 非晶态SiO_2过渡层对生长C轴取向LiNbO_3薄膜的影响
- 2011年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态SiO2过渡层为10～50nm时,在Si(100)衬底上制备的LiNbO3薄膜的C轴取向随着过渡层厚度的增加而变强,但当过渡层超过30nm时,对LiNbO3薄膜C轴取向的影响变小;在Si(111)衬底上制备的LiNbO3薄膜,当非晶态SiO2过渡层为10nm时,LiNbO3薄膜具高C轴取向,C轴取向的织构系数(TC)为90%,且结晶质量良好,但随着过渡层厚度增加,LiNbO3薄膜的C轴取向反而变弱。
- 肖庆安玉凯李响许丽丽吴一晨段岭申刘技文
- 关键词：磁控溅射C轴取向
- 射频磁控溅射制备c轴取向LiNbO_3薄膜研究
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术,用富Li的LiNbO3靶材在Si(100)和Si(111)基底上制备了LiNbO3薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对LiNbO3薄膜的结晶程度、晶体取向和表面形貌及薄膜与基底结合处的界面结构进行了研究.结果表明:样品在空气中经1 000℃退火1 h处理后,薄膜与Si基底界面处有SiO2生成,得到的LiNbO3薄膜结晶性好,具有高c轴取向,晶粒排列致密且粒径尺寸均匀.
- 安玉凯左长云刘技文
- 关键词：C轴取向射频磁控溅射
- Ni70Co30/Cu磁性金属多层膜界面元素分布的X射线异常散射研究
- 本文应用X射线异常散射技术研究了[Ni70Co30(25(A))/Cu(20(A))]20多层膜的界面结构,结果表明,退火前后Cu/Ni70Co30和Ni70Co30/Cu界面的温度行为不同.对于制备态样品,界面结构是非...
- 安玉凯代波麦振洪蔡建旺吴忠华
- 文献传递
- Fe掺杂In_2O_3薄膜的微结构与磁、输运性能被引量：3
- 2012年
- 采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.
- 陈艳红冯德强吴华阳张浩孙会杰刘技文安玉凯
- 关键词：FE掺杂微结构磁性
- Co掺杂SiC薄膜的紫外光敏特性被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜的晶体结构、Co掺杂浓度、载流子浓度、导电类型及光敏特性等进行测试。结果表明,SiC薄膜为6H型晶体结构,Co掺杂后SiC薄膜的导电类型由n型转变为p型,载流子浓度比未掺杂的高2个数量级,对紫外光灵敏度是未掺杂的2倍,光照响应时间比未掺杂的缩短1/3。
- 赵兴亮安玉凯刘技文
- 关键词：SIC薄膜CO掺杂射频磁控溅射
