罗权
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华中科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信文化科学政治法律更多>>
- 高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及界面特性研究
- 随着Si CMOS工艺的发展，MOS器件已进入纳米尺寸，并逐渐接近其物理极限。必须采用新型衬底材料和新型结构来解决进一步缩小Si基MOS器件物理尺寸所面的临巨大挑战，同时还必须需满足CMOS集成电路低功耗高性能的要求，因...
- 罗权
- 关键词：电特性高K栅介质
- SN集团零售转型分析及发展策略研究
- 随着互联网行业的蓬勃发展以及互联网企业对于业绩增长的迫切需求,对增长关注的热度也越来越高,国内外成熟的互联网企业均在各自领域探索出了较为成熟的方法论。由于新兴的新零售行业目前还处于探索阶段,缺少相应的增长方法论,对于新零...
- 罗权
- NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1
- 2017年
- 制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值(25.9)、更低的界面态密度(6.72×10^(11) eV-1·cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-9.43×10^(11) cm^(-2)),以及更小的栅极漏电流(5.18×10^(-5) A/cm^2@V_g=1V+V_(fb))。原因在于NH3等离子体分解产生的N原子或H原子以及NH基团能有效钝化界面附近的悬挂键和缺陷态,防止GeO_x低k界面层的形成,N原子的结合也增加了介质的热稳定性。
- 罗权徐静平刘璐程智翔黄勇刘晓宇
- 关键词：高K栅介质等离子体处理表面钝化界面层
