李玉鉴
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
- 以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N<,2>)t /Q(SiH<,4>)和Q(O<,2>)/...
- 谭满清陆建祖李玉鉴
- 关键词：人工神经网络气相沉积介质膜
- 文献传递
- ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
- 2000年
- 以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础。
- 谭满清陆建祖李玉鉴
- ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟
- 1999年
- 以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ 与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型，此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２ ）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好，该数学模型为ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ淀积全介质光学膜的工艺模拟打下坚实的基础。
- 谭满清陆建祖李玉鉴
- 关键词：ECRPLASMACVDCVD
- 方向基函数神经网络的结构、算法及其应用
- 该论文提出了一种具有新结构的神经网络模型,即方向基函数网络,它在一定的条件下可以跟径向基函数网络相互转化,而且解决问题的能力不亚于径向基函数网络,另外由于它的神经元具有仿射基函数的数学形式而使得它比径向基函数网络要更加容...
- 李玉鉴
- 关键词：神经网络模型
- ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟被引量：1
- 1999年
- 用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ） 镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ 关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好．
- 李玉鉴谭满清茅冬生陆建祖
- 关键词：介质膜折射率神经网络等离子法化学气相沉积
