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茅冬生

作品数：12 被引量：23H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇淀积
  • 5篇半导体
  • 4篇真空室
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇氩气
  • 3篇磷化铟
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇CVD法
  • 2篇等离子体
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓表面
  • 2篇砷化镓材料
  • 2篇清洗工艺
  • 2篇磷化铟材料
  • 2篇介质膜
  • 2篇功率半导体
  • 2篇光电
  • 2篇氦气

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇茅冬生
  • 11篇谭满清
  • 2篇陈良惠
  • 2篇李玉璋
  • 1篇刘忠立
  • 1篇王丽明
  • 1篇马骁宇
  • 1篇刘荣寰
  • 1篇刘德钧
  • 1篇郭良
  • 1篇王仲明
  • 1篇陆建祖
  • 1篇于芳
  • 1篇和致经
  • 1篇潘贵生
  • 1篇王树堂
  • 1篇李玉鉴

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 6篇1999
  • 1篇1992
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磷化铟表面清洁方法
一种磷化铟表面的清洁方法,包括:1、将磷化铟材料器件置入真空度为10<Sup>－5</Sup>Pa的真空室中;2、按一定的比率将氢气、氮气、氩气混合后通入淀积室(真空室);3、给磁场线圈通入一定的电流,在淀积室中形成87...
谭满清茅冬生
反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究被引量：13
1999年
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。
谭满清茅冬生王仲明
关键词：等离子体半导体激光器增透膜CVD光电子器件
670nm半导体量子阱激光器批量生产
郭良马骁宇陈良惠王丽明茅冬生谭满清潘贵生刘德钧王树堂李玉璋
（项目所属科学技术领域、主要内容、特点及应用推广情况） 该项目属于信息技术领域中光信息处理和存储系统关键光电子器件-GaInP/InGaAlP应变量子阱可见光红光波段（λ=620nm-690nm）激光器中试规模批量生产技...
关键词：
关键词：半导体量子阱激光器生产技术
InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术被引量：3
1999年
本文介绍了用电子回旋共振（ＥＣＲ）Ｈ２／Ｎ２ 等离子体去除ＩｎＰ衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了ＩｎＰ衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论。
谭满清茅冬生
关键词：磷化铟H2/N2
磷化铟表面清洁方法
一种磷化铟表面的清洁方法，包括：1、将磷化铟材料器件置入真空室中，然后，用抽真空设备将真空室的本底真空度抽至10<Sup>-5</Sup>Pa数量级及以上；2、按3∶27∶20的比率将氢气、氮气、氩气混合后通入真空室；3...
谭满清茅冬生
砷化镓表面清洁方法
砷化镓表面清洁方法，其步骤为：1)将砷化镓材料器件置入真空室中，用抽真空设备将真空室的本底真空度抽至1.33×10<Sup>-5</Sup>Pa数量级及以上；2)按一定的比率将氢气、氦气、氩气混合后通入淀积室；3)给磁场...
谭满清茅冬生
加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果
1992年
本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。
刘荣寰刘忠立茅冬生和致经于芳
关键词：集成电路
ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究被引量：7
1999年
本文介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积８０８ｎｍ大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺，给出了工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性．
谭满清茅冬生
关键词：半导体激光器
ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用被引量：1
1999年
电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍ ａ
茅冬生谭满清
关键词：介质膜半导体光电器件
ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟被引量：1
1999年
用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ） 镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ 关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好．
李玉鉴谭满清茅冬生陆建祖
关键词：介质膜折射率神经网络等离子法化学气相沉积
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共2页<12>
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