陆建祖
- 作品数:8 被引量:12H指数:2
- 供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 数模混合测试系统研制
- 林雨陆文兰柳冰种明陈福海陆建祖庄忻辉肖刚王再跃李长
- 该攻关项目是研制一个结构先进、指标实用的数混合IC测试系统。并可通过该系统管脚卡的集成化、微型化研究提高该系统的指标与可靠性。先进的双机结构,提供高速数字、高速模拟、高精数字、高精模拟四种管脚。具有很强的同步与异步测试功...
- 关键词:
- 关键词:混合集成电路集成电路测试系统
- GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量:5
- 2001年
- 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
- 刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达
- 关键词:反应离子刻蚀刻蚀速率DBR砷化铝
- ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
- 以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N<,2>)t /Q(SiH<,4>)和Q(O<,2>)/...
- 谭满清陆建祖李玉鉴
- 关键词:人工神经网络气相沉积介质膜
- 文献传递
- ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
- 2000年
- 以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础。
- 谭满清陆建祖李玉鉴
- ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟
- 1999年
- 以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasm a CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率n 与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2 )/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好,该数学模型为ECR Plasm a CVD淀积全介质光学膜的工艺模拟打下坚实的基础。
- 谭满清陆建祖李玉鉴
- 关键词:ECRPLASMACVDCVD
- 反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究
- 以SF<,6>/N<,2>混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以...
- 陆建祖魏红振李玉鉴
- 关键词:干法刻蚀人工神经网络
- 文献传递
- 反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究被引量:7
- 2000年
- 以SF6 N2 混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法 :在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型 ,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比 ,并且以仿真实验数据训练模型学习 ,模型具有通用性 ,与设备无关。
- 陆建祖魏红振李玉鉴张永刚林世鸣余金中刘忠立
- 关键词:人工神经网络反应离子刻蚀
- ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟被引量:1
- 1999年
- 用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR Plasm a CVD) 镀膜工艺建立了一个介质膜折射率n 关于气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)的数学模型.在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好.
- 李玉鉴谭满清茅冬生陆建祖
- 关键词:介质膜折射率神经网络等离子法化学气相沉积