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王茂森

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：上海航天测控通信研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇ALGAAS...
  • 3篇绝缘
  • 2篇电极
  • 2篇栅宽
  • 2篇失效期
  • 2篇通信接口
  • 2篇效期
  • 2篇静态功耗
  • 2篇抗辐照
  • 2篇刻蚀
  • 2篇击穿
  • 2篇功耗
  • 2篇烘焙
  • 2篇PROM
  • 2篇氧

机构

  • 8篇上海航天测控...

作者

  • 8篇王茂森
  • 4篇姚崇斌
  • 4篇黄硕
  • 3篇范宇飞
  • 2篇陈凯
  • 2篇魏文超
  • 2篇朱新忠
  • 2篇李超
  • 2篇高翔
  • 2篇吴杰
  • 2篇张瑞珏
  • 1篇张旭光

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2020
  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采...
陈凯化宁沈晓唯章泉源王佳尚会锋姚崇斌王茂森张瑞珏戴杰黄硕
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一种通用自动化元器件应用验证装置
本实用新型提供了一种通用自动化元器件应用验证装置，该装置包括通用控制母板、专用被测元器件子板以及计算机，所述通用控制母板通过多种接口与专用被测元器件子板连接，所述专用被测元器件子板通过转接插座与被测元器件连接，所述计算机...
王茂森李超沈霞宏顾东梁桂赟
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多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式...
化宁王真昊沈亚飞王佳章泉源杜祥裕王茂森高翔姚崇斌黄硕麻仕豪
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抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置和方法
本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，...
王茂森吴杰朱新忠范宇飞刘凯俊刘伟亮章泉源魏文超闵康磊
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AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及制备方法
本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍...
陈凯化宁沈晓唯章泉源王佳尚会锋姚崇斌王茂森张瑞珏戴杰黄硕
一种基于FPGA的新型元器件测试方法
本发明公开了一种基于FPGA的测试系统及方法，调试设备通过通信接口电路发送测试配置数据至测试板，测试板上FPGA的中心控制单元接收测试配置数据进行初始化包括初始化被测器件的控制驱动模块。然后，调试设备通过通信接口电路发送...
顾东梁李超王茂森沈霞宏张旭光范宇飞
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多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式...
化宁王真昊沈亚飞王佳章泉源杜祥裕王茂森高翔姚崇斌黄硕麻仕豪
抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置和方法
本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，...
王茂森吴杰朱新忠范宇飞刘凯俊刘伟亮章泉源魏文超闵康磊
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