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范宇飞

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：上海航天测控通信研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇失效期
  • 2篇效期
  • 2篇抗辐照
  • 2篇击穿
  • 2篇烘焙
  • 2篇PROM
  • 2篇氧
  • 1篇通信接口
  • 1篇通信接口电路
  • 1篇驱动模块
  • 1篇接口电路
  • 1篇基于FPGA
  • 1篇测试数据
  • 1篇测试系统
  • 1篇初始化

机构

  • 3篇上海航天测控...

作者

  • 3篇范宇飞
  • 3篇王茂森
  • 2篇魏文超
  • 2篇朱新忠
  • 2篇吴杰
  • 1篇张旭光
  • 1篇李超

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种基于FPGA的新型元器件测试方法
本发明公开了一种基于FPGA的测试系统及方法，调试设备通过通信接口电路发送测试配置数据至测试板，测试板上FPGA的中心控制单元接收测试配置数据进行初始化包括初始化被测器件的控制驱动模块。然后，调试设备通过通信接口电路发送...
顾东梁李超王茂森沈霞宏张旭光范宇飞
文献传递
抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置和方法
本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，...
王茂森吴杰朱新忠范宇飞刘凯俊刘伟亮章泉源魏文超闵康磊
文献传递
抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置和方法
本发明提供了一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法和装置，方法包括：步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；步骤2，...
王茂森吴杰朱新忠范宇飞刘凯俊刘伟亮章泉源魏文超闵康磊
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