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黄硕

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：上海航天测控通信研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇ALGAAS...
  • 3篇栅极
  • 3篇栅极电压
  • 3篇绝缘
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇栅宽
  • 2篇直流偏置
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电路
  • 2篇静态功耗
  • 2篇刻蚀
  • 2篇工作带宽
  • 2篇功耗
  • 2篇功率器件

机构

  • 7篇上海航天测控...

作者

  • 7篇黄硕
  • 6篇姚崇斌
  • 4篇王茂森
  • 3篇吕利清
  • 3篇董硕
  • 2篇陈凯
  • 2篇刘鹏飞
  • 2篇赵涛
  • 2篇高翔
  • 2篇洪晨晖
  • 2篇张瑞珏
  • 1篇许娟
  • 1篇乔洋
  • 1篇陈辉

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采...
陈凯化宁沈晓唯章泉源王佳尚会锋姚崇斌王茂森张瑞珏戴杰黄硕
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AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及制备方法
本发明公开了AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍...
陈凯化宁沈晓唯章泉源王佳尚会锋姚崇斌王茂森张瑞珏戴杰黄硕
多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式...
化宁王真昊沈亚飞王佳章泉源杜祥裕王茂森高翔姚崇斌黄硕麻仕豪
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一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路
本发明公开了一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路，该电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路，其中：所述栅极偏置电路包括电容C1、C3，电阻R1及扼流滤波电路K1，用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的栅极电...
黄硕董硕赵涛姚崇斌吕利清洪晨晖刘鹏飞
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一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路
本发明公开了一种X波段GaN？HEMT功率器件直流偏置电路，该电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路，其中：所述栅极偏置电路包括电容C1、C3，电阻R1及扼流滤波电路K1，用于对X波段GaN？HEMT功率器件提供合适的栅极电...
黄硕董硕赵涛姚崇斌吕利清洪晨晖刘鹏飞
多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种多沟道绝缘鳍式栅复合槽栅的AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAs/GaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括鳍式...
化宁王真昊沈亚飞王佳章泉源杜祥裕王茂森高翔姚崇斌黄硕麻仕豪
一种星载有源钳位正激电源MOS管隔离驱动电路
本发明公开的一种星载有源钳位正激电源MOS管隔离控制电路，包含如下2个功能模块：波形转换模块，隔离驱动模块。波形转换模块将PWM控制电路产生的PWM方波转换为两路死区时间可调的互补方波，隔离驱动模块将波形转换模块产生的互...
董硕黄硕乔洋吕利清许娟陈辉
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