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王印权

作品数：37 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 17篇反熔丝
  • 7篇淀积
  • 6篇电路
  • 6篇半导体
  • 5篇碳纳米管
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米管
  • 5篇浮栅
  • 5篇半导体工艺
  • 5篇编程
  • 4篇电阻
  • 4篇通孔
  • 4篇总剂量
  • 4篇介质层
  • 4篇晶体管
  • 4篇击穿电压
  • 4篇集成电路
  • 3篇电极
  • 3篇电路技术
  • 3篇碳纳米管晶体...

机构

  • 35篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 37篇王印权
  • 30篇郑若成
  • 22篇洪根深
  • 9篇徐海铭
  • 9篇郑良晨
  • 5篇朱少立
  • 5篇贺琪
  • 5篇吴素贞
  • 4篇汤赛楠
  • 3篇谢儒彬
  • 3篇赵文彬
  • 3篇刘国柱
  • 3篇曾庆平
  • 2篇徐海铭
  • 1篇徐静
  • 1篇徐大为
  • 1篇张明
  • 1篇李燕妃
  • 1篇吴素贞

传媒

  • 4篇电子与封装
  • 1篇半导体技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 8篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ONO反熔丝器件制备工艺及其特性研究被引量：1
2014年
基于1．0μmONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺，主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现，采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生长隧道氧化层、LPCVD制备富N的Si3N4层、高温热氧化方式生长顶层氧化层等工艺制备ONO反熔丝单元，其熔丝具有良好的开关态特性：半编程电压条件下漏电低（约1．0×10^-2A）、击穿电压离散性小（均匀性小于5％）、编程电阻低（编程电流大于2mA时，其熔丝编程电阻小于300Ω）等，同时，在常温25℃、工作电压5V条件下，该结构0．6～1．5μm孔径的反熔丝单元寿命均达10年以上。
刘国柱张明郑若成徐静王印权洪根深
关键词：击穿电压
通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺
本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；...
王印权郑若成洪根深赵文彬徐海铭吴素贞
文献传递
一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法
本发明公开一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法，属于集成电路制造领域。在半导体晶圆上制造电路有源区，并将需要场间互连的金属端口布置到单颗芯片的边缘位置；利用光刻技术，在晶圆表面的金属端口位置制造光刻胶开口；在光刻胶开口...
翟培卓洪根深王印权郑若成郝新焱朱少立
一种通孔下MTM反熔丝的制备方法
本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡...
郑若成王印权吴素贞刘佰清郑良晨洪根深
文献传递
高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法
本申请公开了一种高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法，属于存储器制造技术领域，所述高抗辐射磁随机存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；磁性隧道结存储单元，所述磁性隧道结存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方...
施辉张海良徐何军曹利超王印权吴建伟洪根深贺琪
文献传递
一种MTM反熔丝单元结构的制备方法
本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构的制备方法，包括（1）完成第一金属间介质材料和下层金属材料淀积；（2）完成第一阻挡层材料淀积；（3）完成反熔丝介质材料淀积；（4）完成离子注入阻挡层涂覆；（5）完成离子注入阻挡层曝光、显...
徐海铭郑若成曾庆平王印权汤赛楠
一种提升器件抗辐射能力的浅隔离槽制作方法
本发明涉及一种提升器件抗辐射能力的浅隔离槽制作方法，所述浅隔离槽制作方法中设计新增工艺兼容现有生产工艺流程，包括：提供P型Si衬底，在所述P型Si衬底上形成掩蔽层；刻蚀未被所述掩蔽层覆盖的所述P型Si衬底形成浅隔离槽；在...
郝新焱郑若成王印权郑良晨谢儒彬
一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法
本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝单元结构的制备方法，该制备方法是在反熔丝通孔与金属间介质层接触的台阶处增加了反熔丝Spacer，降低了台阶角度，减小了反熔丝介质层厚度的不一致性，提高反熔丝击穿电压的一致性和电路良率，同时...
王印权郑若成徐海铭洪根深赵文彬吴素贞
文献传递
一种FPGA开关单元、控制方法及其制备方法
本发明涉及一种集成电路的开关单元，尤其是一种FPGA开关单元、控制方法及其制备方法。一种FPGA开关单元，包括组成单浮栅折叠结构的FLASH、NMOS管T1、NMOS管T2和信号传输管T3；FLASH设有两个，且相对设置...
张海良郑若成宋思德王印权施辉曹利超徐何军
文献传递
MTM反熔丝单元的辐照特性研究被引量：3
2017年
对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co^(60)-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad(Si)。辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变,漏电流变化率小于10%。编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变,并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响。试验结果表明,MTM反熔丝单元的抗总剂量(Co^(60)-γ射线)辐照能力达到2 Mrad(Si)以上。
王印权郑若成徐海铭吴素贞洪根深
关键词：MTM反熔丝总剂量效应
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