郑若成
- 作品数：67 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
- SOI LDMOS器件制备的工艺方法
- 本发明涉及一种SOI LDMOS器件的制备工艺方法，包括如下步骤：(1)在所述顶层硅膜内进行P型阱注入；(2)在顶层硅膜上采用氧化回流工艺；(3)采用光刻工艺；(4)采用光刻和腐蚀工艺；(5)采用氧化回流工艺；(6)采用...
- 郑良晨郑若成洪根深周淼
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- 通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺
- 本发明涉及一种通孔上MTM反熔丝结构及其制备工艺，其包括衬底以及位于所述衬底上的器件层；在所述器件层上压盖有熔丝封体，在所述熔丝封体内设有熔丝下电极，在所述熔丝封体外设有熔丝上电极，所述熔丝上电极位于熔丝下电极的正上方；...
- 王印权郑若成洪根深赵文彬徐海铭吴素贞
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- 一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法
- 本发明公开一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法，属于集成电路制造领域。在半导体晶圆上制造电路有源区，并将需要场间互连的金属端口布置到单颗芯片的边缘位置；利用光刻技术，在晶圆表面的金属端口位置制造光刻胶开口；在光刻胶开口...
- 翟培卓洪根深王印权郑若成郝新焱朱少立
- 一种通孔下MTM反熔丝的制备方法
- 本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡...
- 郑若成王印权吴素贞刘佰清郑良晨洪根深
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- 一种反熔丝单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种反熔丝单元结构及其制备方法，该反熔丝单元结构为N+/SiOxNy/METAL(N+扩散区/SiOxNy/Metal)反熔丝单元结构。按照本发明提供的技术方案，N+/ON/M反熔丝单元结构适用于多种材料片，包...
- 刘佰清刘国柱洪根深郑若成
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- 双极器件EB结击穿测试对HFE的影响被引量：2
- 2010年
- 三极管测试发现,发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE。理论表明,HFE和注入效率γ、基区输运系数αT、复合系数δ相关。文章模拟EB结击穿应力,同时设计三种测试方法,测试应力前后三极管HFE、IC、IB等参数的变化,认为HFE降低是由于IB的增大造成。同时根据上面三个系数对应的物理区域分析认为,电流应力造成了缺陷,缺陷引起的EB结复合电流和基区传输复合电流的增大是IB增大的原因,但EB结复合电流是主要的,是HFE降低的原因。最后指出流片工艺过程中的损伤也会造成类似HFE降低的问题。
- 戴昌梅郑若成
- 关键词：电流应力HFE复合电流
- MTM反熔丝单元编程特性研究被引量：3
- 2015年
- 主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。
- 王印权刘国柱徐海铭郑若成洪根深
- 一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法
- 本发明公开一种提升MOS器件抗总剂量能力的栅氧加固方法，属于微电子工艺制造领域。本发明通过采用特殊的CVD或ALD淀积的方法，淀积温度小于800摄氏度，制备MOS器件的高质量栅氧化层SiO<Sub>2</Sub>介质；在...
- 王印权郑若成洪根深贺琪胡君彪郝新焱
- 文献传递
- 一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法
- 本发明公开一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法，属于半导体工艺制造领域。首先提供衬底，在衬底上依次形成外延硅层、二氧化硅层和阻挡层；接着刻蚀形成STI硅浅槽，在STI硅浅槽侧壁和底部热氧化生长SiO2薄膜；然后采用C...
- 施辉王印权曹利超郑若成张庆东谢儒彬洪根深
- 一种单多晶EEPROM开关单元结构
- 本发明公开一种单多晶EEPROM开关单元结构，属于微电子器件领域，包括p型Si衬底、浅槽隔离STI、栅氧化层、多晶层和衬垫。p型Si衬底上形成有高压p阱和n阱；若干个浅槽隔离STI将p型Si衬底的表面分成三部分区域：开关...
- 宋思德葛江晖郑若成贺琪刘国柱徐蓓蕾
