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郑良晨

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇反熔丝
  • 5篇半导体
  • 4篇淀积
  • 4篇半导体工艺
  • 3篇电路
  • 3篇总剂量
  • 3篇阻挡层
  • 3篇极板
  • 3篇光刻
  • 2篇电阻
  • 2篇源区
  • 2篇灵敏放大器
  • 2篇介质层
  • 2篇工艺方法
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇高能量
  • 2篇编程
  • 2篇SOI_LD...
  • 2篇钨
  • 2篇MOS管

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇郑良晨
  • 11篇郑若成
  • 9篇王印权
  • 7篇洪根深
  • 2篇谢儒彬
  • 2篇周淼
  • 2篇徐海铭
  • 1篇顾祥
  • 1篇顾吉
  • 1篇汤赛楠
  • 1篇陈嘉鹏
  • 1篇陈海波
  • 1篇吴素贞

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOI LDMOS器件制备的工艺方法
本发明涉及一种SOI LDMOS器件的制备工艺方法，包括如下步骤：(1)在所述顶层硅膜内进行P型阱注入；(2)在顶层硅膜上采用氧化回流工艺；(3)采用光刻工艺；(4)采用光刻和腐蚀工艺；(5)采用氧化回流工艺；(6)采用...
郑良晨郑若成洪根深周淼
文献传递
一种通孔下MTM反熔丝的制备方法
本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡...
郑若成王印权吴素贞刘佰清郑良晨洪根深
文献传递
一种高温SOI器件中金属互联的制作方法
本发明公开一种高温SOI器件中金属互联的制作方法，属于半导体工艺领域。在待加工器件的表面依次生长刻蚀停止层和金属间介质层；涂覆光刻胶层，刻蚀形成金属开孔区；在表面淀积金属互联层，金属互联层由阻挡层和钨金属层组成；研磨金属...
李金航纪旭明赵晓松张庆东谢儒彬郑良晨顾祥洪根深
一种提升器件抗辐射能力的浅隔离槽制作方法
本发明涉及一种提升器件抗辐射能力的浅隔离槽制作方法，所述浅隔离槽制作方法中设计新增工艺兼容现有生产工艺流程，包括：提供P型Si衬底，在所述P型Si衬底上形成掩蔽层；刻蚀未被所述掩蔽层覆盖的所述P型Si衬底形成浅隔离槽；在...
郝新焱郑若成王印权郑良晨谢儒彬
一种具有抗总剂量能力的低阈值电压NMOS管的制作方法
本发明公开一种具有抗总剂量能力的低阈值电压NMOS管的制作方法，属于半导体工艺制造领域。首先形成NMOS管器件有源区，通过STI硅浅槽对有源区隔离，采用常规加固方法对STI硅浅槽的底部和侧壁进行加固，然后进行HDP填充，...
郑若成王印权郑良晨胡君彪郝新焱宋思德
MTM反熔丝制作方法
本发明涉及集成电路技术领域，尤其是一种MTM反熔丝制作方法。包括以下步骤：A，在硅衬底与完成的器件层上依次进行金属间介质层淀积和下层金属层淀积；B，进行第一阻挡层淀积；C，进行反熔丝介质层淀积；D，对反熔丝介质层进行SS...
徐海铭郑若成王印权郑良晨洪根深汤赛楠
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一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路
本发明属于半导体工艺制造技术领域，为一种反熔丝单元工艺质量监控测试电路，包括译码器、存储器、灵敏放大器、编程模块、控制模块和电源端口VDD端、VCC端与GND端，所述译码器、存储器和灵敏放大器依次连接在一起，所述灵敏放大...
郑若成王印权郑良晨胡君彪郝新焱
SOI LDMOS器件制备的工艺方法
本发明涉及一种SOI LDMOS器件的制备工艺方法，包括如下步骤：(1)在所述顶层硅膜内进行P型阱注入；(2)在顶层硅膜上采用氧化回流工艺；(3)采用光刻工艺；(4)采用光刻和腐蚀工艺；(5)采用氧化回流工艺；(6)采用...
郑良晨郑若成洪根深周淼
一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台
本发明公开了一种用于芯片总剂量辐照试验的探针台，实现了将探针台应用与芯片辐照测试领域，所述用于芯片总剂量辐照试验的探针台包括显微镜和探针台体，所述探针台体与显微镜分体设置，所述探针台体位于显微镜下方，所述探针台体包括防振...
顾吉吴建伟陈海波陈嘉鹏郑良晨徐海铭
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一种反熔丝单元结构及其制备方法
本发明涉及一种反熔丝结构，尤其是一种反熔丝单元结构及其制备方法，一种反熔丝单元结构，包括反熔丝结构本体，所述反熔丝结构本体包括从上到下依次设置的上阻挡层、反熔丝膜层和下阻挡层；还包括侧面隔离层，所述侧面隔离层设置在所述反...
郑若成王印权郑良晨胡君彪郝新焱洪根深宋思德
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