杜国同
- 作品数：387 被引量：656H指数：14
- 供职机构：吉林大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 单分子-光子泵制冷理论——概念的引入及单分子泵的量子跃迁过程被引量：4
- 2000年
- 从单个分子的角度出发研究反Stokes荧光制冷的微观机制 ,提出了单分子_光子制冷泵的物理概念 ,预言了物质世界可能实现的体积最小的制冷器 .系统地描述了单分子_光子泵 (SMPC)的工作原理 ,研究了SMPC的量子跃迁过程 ;给出了SMPC单次量子跃迁可以达到的最大制冷系数 ,指出了SMPC制冷过程中的几率特性 。
- 秦伟平陈宝玖秦冠仕杜国同许武黄世华
- 关键词：单分子激光制冷量子跃迁
- 阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
- 1995年
- 报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．
- 邢进刘素平姜秀英赵方海曲轶杜国同
- 关键词：发光二极管SLD
- 光子晶体超晶格的能带折叠被引量：5
- 2002年
- 我们分析了光子晶体超晶格的能带结构 ,光子晶体超晶格的能带与半导体超晶格的相同 ,都有能带的折叠现象。一维光子晶体超晶格的每条能带被折叠成 M条 ,二维光子晶体超晶格的每一条能带被折叠成 M2 条 ,M是每个维度晶格放大的倍数。显然如果是三维光子晶体超晶格 ,每一条能带将被折叠成 M3条。
- 宋俊峰刘志良张健王海嵩常玉春于硕王立军许武杜国同
- 关键词：光子晶体
- 从晶体取向特点探讨ZnO薄膜的晶体不完整性被引量：6
- 2006年
- 用MOCVD法在蓝宝石衬底上得到了ZnO（0002）膜，并用XRD和SEM进行了表征．结果表明，薄膜中沿[0001]择优取向生长的柱状晶垂直于衬底表面，晶柱之间存在着边界和间隙．x射线中扫描实验结果表明．晶柱之间的取向偏差在3°-30°之间，X射线ω摇摆曲线和谱线宽度分析结果表明，薄膜中的晶柱是由多个晶粒堆叠而成，且晶粒之间的平均取向偏差也在2．6°以上．实验结果表明，ZnO大失配度异质外延膜是c轴[001]取向柱状多晶体，ZnO薄膜的结晶不完整性主要是由其柱状晶结构造成的。
- 侯长民黄科科高忠民马艳杜国同李向山冯守华
- 关键词：氧化锌薄膜晶体取向
- MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析
- 2008年
- 在不同温度下利用MOCVD方法生长了ZnO薄膜,并在较高温度下进行了NH3掺杂。采用X射线光电子能谱(XPS)技术分析了薄膜的性质,结果表明,生长温度和N掺杂会影响薄膜的表面吸附、O缺陷、C、H杂质、元素价态、化学键的断裂及晶粒尺寸等性质。440℃低温下生长的薄膜,C、H杂质及O缺陷较多,晶粒尺寸较小。在530℃生长的薄膜中,可以见到由断裂两个键的Zn离子所引起的2p3/2光电子峰。NH3掺杂以后,ZnO薄膜表面O1s峰移向低能侧,而在内部则移向高能侧。
- 马艳张源涛张宝林杜国同
- 关键词：氧化锌金属有机化学气相沉积X射线光电子能谱
- MOCVD法制备ZnO p-n同质结及其特性研究
- 通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了ZnOp-n同质结。并对它的各种特性进行了测试与分析。样品的开启电压约为4.0V。结特性良好。对同质结中n型与p型ZnO层的电学特性比较发现,n型层的电阻率...
- 董鑫张源涛张宝林赵旺李香萍杜国同
- 关键词：氧化锌同质结电致发光光谱I-V特性
- 文献传递
- As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
- 2008年
- 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。
- 管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同
- 关键词：ZNOGAASXPS受主
- 400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
- 2013年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
- 王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同
- 关键词：金属有机物化学气相沉积GAN发光二极管电子阻挡层超晶格
- 阶梯和窄台衬底内条形激光器光输出稳态特性分析
- 1993年
- 对阶梯和窄台衬底内条形(TSIS和NMSIS)半导体激光器的稳态光输出特性进行了数值计算。得到TSIS激光器的侧向波导非对称性允许其在大范围电注入下基横模工作和NMSIS器件远场光强分布呈现双峰现象,这些计算结果得到了实验验证。
- 张晓波赵方海王文杜国同杨树人高鼎三丛志先金希卓
- 关键词：半导体激光光输出
- 条纹分辨二次谐波自相关法重建超短光脉冲的波形和相位被引量：1
- 2004年
- 介绍了条纹分辨二次谐波自相关法(FRSHG)重建超短光脉冲的波形和相位的方法,对其可行性进行了证明和数值模拟,利用条纹分辨二次谐波自相关法对直接调制DFB激光器光脉冲的波形和相位进行了测量.
- 杨罕杜建李德辉孙伟衣茂斌杜国同
- 关键词：DFB激光器超短光脉冲
