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夏晓川

作品数:105 被引量:70H指数:4
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 63篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 9篇理学
  • 6篇文化科学
  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇核科学技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 25篇发光
  • 25篇半导体
  • 18篇氧化镓
  • 16篇发光器件
  • 13篇激光
  • 13篇半导体发光器...
  • 12篇电极
  • 12篇激光器
  • 10篇碳化硅
  • 10篇发射激光器
  • 10篇ZNO
  • 9篇电阻
  • 9篇P型
  • 8篇异质结
  • 8篇欧姆接触
  • 8篇金属
  • 7篇单晶
  • 7篇欧姆接触电极
  • 7篇接触电极
  • 7篇高阻

机构

  • 81篇大连理工大学
  • 37篇吉林大学
  • 11篇中国科学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇河南科技大学
  • 1篇集成光电子学...
  • 1篇浙江水晶光电...

作者

  • 105篇夏晓川
  • 74篇梁红伟
  • 52篇杜国同
  • 27篇张贺秋
  • 26篇柳阳
  • 25篇张宝林
  • 21篇赵旺
  • 19篇申人升
  • 14篇董鑫
  • 10篇胡礼中
  • 9篇张克雄
  • 7篇史志锋
  • 6篇张源涛
  • 6篇张赫之
  • 5篇崔兴柱
  • 5篇王瑾
  • 5篇赵龙
  • 5篇马艳
  • 5篇刘俊
  • 5篇宋世巍

传媒

  • 8篇发光学报
  • 4篇大连理工大学...
  • 4篇第十六届全国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇实验科学与技...
  • 2篇第四届全国氧...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇科技导报
  • 1篇核技术
  • 1篇光电子技术
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇西部学刊
  • 1篇高教学刊
  • 1篇大学(研究与...
  • 1篇中国科技论文...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第五届届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 7篇2023
  • 2篇2022
  • 9篇2021
  • 9篇2020
  • 5篇2019
  • 6篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 10篇2013
  • 7篇2012
  • 10篇2011
  • 8篇2010
  • 5篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
105 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
提升新时代高校基层党支部组织育人功效的研究与实践——以大连理工大学微电子学院为例
2021年
在高校各级基层组织的育人实践过程中,基层党支部起着统领作用。大连理工大学微电子学院党委立足实际,坚持问题导向、目标导向、结果导向相统一,强化政治功能,通过以突出组织育人为统领做好基层党支部的顶层设计、以提升组织育人效果为导向,优化基层党支部设置;以党性强、业务精为目标,强化党支部组织育人队伍建设,使高校基层党支部组织育人统领作用的理念内化为行为准则,把提升基层党支部组织育人的功效落到实处。
付冬娟夏晓川孙雪辉
关键词:基层党支部
As掺杂p型ZnO薄膜的制备
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-O键的形式存在于p...
夏晓川赵涧泽李香萍梁宏伟王瑾杜国同
关键词:MOCVD方法ZNO薄膜
文献传递
ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法
本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域,涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的GaN外延层、电流下限制层、ZnO基材料发光层、上电极构成,其特征在于:衬底是导电...
杜国同夏晓川赵旺梁红伟张宝林
采用GaAs夹层制备p-ZnO薄膜及发光器件的研究
夏晓川
关键词:氧化锌电致发光
氧源对氧化锌薄膜基本性质的影响
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,分别以高纯O2和NO作为氧源,在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。XRD测试结果显示,ZnO薄膜都为(0002)面单一取向;但相较于使用O2氧源,改用NO氧源后,ZnO薄膜的晶...
赵龙夏晓川史志锋王辉董鑫张宝林杜国同
关键词:氧化锌MOCVD方法
文献传递
一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法
本发明属于半导体材料器件制备技术领域,公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法,包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表...
梁红伟王德煜马浩然柳阳张克雄张振中张贺秋张赫之夏晓川
具有掺杂夹层结构的氧化锌基发光器件
本发明属于半导体发光器件领域,特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成;掺杂夹层位于衬底...
夏晓川杜国同张源涛马艳张宝林
文献传递
一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法
本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域,提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法,步骤如下:步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层,镁层的厚度为1nm~1mm,金层的厚度为1nm~1mm;步骤2、将上述样品进行热处...
夏晓川梁红伟张贺秋柳阳
文献传递
空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜
本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜,空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤:将衬底置于密封反应室内的生长托盘上,加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃,对衬底进行热处理;将托...
梁红伟夏晓川柳阳申人升杜国同胡礼中
文献传递
p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法
本发明属于半导体发光器件技术领域,涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或n型AlGaN电流下限制层、...
杜国同夏晓川赵旺梁红伟张宝林
文献传递
共11页<12345678910>
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