张源涛
- 作品数：119 被引量：147H指数：7
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
- 2005年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。
- 张源涛崔勇国张宝林朱慧超李万成常遇春杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底PL谱异质结
- MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.c轴取向的Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和...
- 张源涛朱慧超崔勇国刘大力杨树人杜国同
- 关键词：金属有机化学气相沉积半导体材料光学特性
- 文献传递
- N极性p型GaN薄膜的制备及其特性研究
- GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流...
- 蒋俊岩迟宸闫龙张源涛张宝林杜国同
- 关键词：氮化镓薄膜化学腐蚀晶体质量
- 一种基于深度学习的图像分类神经网络压缩模型设计
- 本发明涉及电子信息科学技术领域，提供了一种基于深度学习的图像分类神经网络压缩模型设计。深度神经网络很难去训练，并且训练过程占用大量内存，为此提出了一个简单、高效和模块化压缩双通道网络结构。该网络以双通道网络为主干，引入了...
- 张源涛元润一
- 文献传递
- O<,2>气流量对LP-MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
- 本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办法,在c-Al<,2>O<,3>衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了Ⅵ族源O<,2>气流量的变化...
- 马艳杜国同杨树人李正庭李万成杨天鹏杨洪军张源涛杨小天赵佰军刘博阳刘大力姜秀英
- 关键词：ZNO薄膜LP-MOCVDPL谱金属有机化学气相淀积表面形貌光致发光谱
- 文献传递
- 温度对MOGVD制备ZnO薄膜中缺陷的影响
- 本实验采用LP-MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜,考察了外延生长温度对ZnO薄膜光学质量的影响,着重研究了ZnO薄膜中缺陷的形成机制.三个样品都表现出主宰的紫外光发射,长波方向的深能级发光变化很不明显.考虑到不...
- 崔夕军庄仕伟张金香伍斌史志锋张源涛张宝林杜国同
- 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备
- 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备，属于氧化物薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种在超高温（大于1100°C）和氧气气氛条件下氧化物半导体及其它氧化物薄膜功能材料生长的金属有机物化学气相沉积设备。其反应室由其由真...
- 李万程李国兴杜国同张源涛杨小天
- 文献传递
- ZnO薄膜的XPS价带谱研究被引量：2
- 2004年
- 用 MOCVD方法在 Al2 O3衬底 c面生长 Zn O薄膜 ,用 XPS对薄膜进行了测量 .结果显示 ,与 O1 s和Zn2 p态相比 ,Zn3d态有更大的化学位移 ,可用于更有效地分析 Zn O薄膜变化 ;随着 Zn3d+Zn4 s态和 Zn3d态电子与 O2 p态电子耦合的增强 ,Zn3d态电子的结合能变大 ;二乙基锌 ( DEZn)源温是影响 Zn O成键的重要因素 .
- 李万程杜国同杨小天刘博阳张源涛赵佰军姜秀英
- 关键词：ZNO薄膜XPS
- 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法
- 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶...
- 董鑫陈威焦腾张源涛张宝林
- 文献传递
- 一种n-SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法
- 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Al<Sub>x0</Sub>Ga<Sub>1‑x0</Sub>N导电缓冲层、n‑Al...
- 张源涛李鹏翀杜国同闫龙韩煦董鑫张宝林
- 文献传递
