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郭学军

作品数：11 被引量：33H指数：4
供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 6篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇硅薄膜
  • 5篇微晶硅
  • 5篇微晶硅薄膜
  • 3篇VHF-PE...
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇甚高频
  • 2篇氢化微晶硅薄...
  • 2篇微结构
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇ITO薄膜
  • 1篇电池
  • 1篇电特性
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇英文
  • 1篇再结晶
  • 1篇散射截面
  • 1篇生长速率

机构

  • 11篇郑州大学
  • 1篇河南机电高等...
  • 1篇南开大学
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇新乡学院

作者

  • 11篇卢景霄
  • 11篇郭学军
  • 5篇陈永生
  • 5篇张庆丰
  • 5篇文书堂
  • 4篇谷锦华
  • 3篇郑文
  • 3篇杨根
  • 3篇申陈海
  • 2篇陈庆东
  • 2篇李瑞
  • 2篇高哲
  • 2篇张丽伟
  • 1篇李维强
  • 1篇杨仕娥
  • 1篇赵剑涛
  • 1篇魏长春
  • 1篇姚鹏
  • 1篇李红菊
  • 1篇李云居

传媒

  • 2篇真空
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇可再生能源

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究被引量：13
2008年
采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.
郭学军卢景霄陈永生张庆丰文书堂郑文申陈海陈庆东
关键词：微晶硅薄膜
高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积
2010年
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区。经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s。
申陈海卢景霄陈永生郭学军陈庆东
关键词：VHF-PECVD电学特性
浮法玻璃的铝诱导表面织构研究被引量：3
2008年
本文采用铝诱导表面织构方法,在浮法玻璃表面成功地制备了陷光结构:采用快速辐射加热法对蒸镀约200 nm厚Al膜的浮法玻璃基片进行了一定时间的热处理,然后分别经H3PO4和HF/HNO3的混合溶液腐蚀。借助扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计研究了热处理和HF/HNO3混合溶液处理的时间对玻璃表面织构形貌及陷光特性的影响。实验发现,快速辐射加热法退火2 h,就可在玻璃表面形成较好的陷光织构,织构的特征尺寸较小时,陷光作用较好。
郑文陈永生卢景霄郭学军张庆丰高哲
关键词：浮法玻璃
快速光退火对ITO薄膜结构和性能的改善被引量：4
2008年
利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响,致力于在低温退火工艺下改善薄膜性能。通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的增大,禁带宽度逐渐增大;对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长,样品的微结构致密性提高,各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体;但退火温度过高或退火时间过长反而不利于透明导电膜性能的提高,所以选取合适的退火温度和退火时间是光退火下透光性和导电性都得到提升的关键。在200°C的退火温度下,退火12 m in可实现样品的透光率在可见光范围内达到82%,电阻率ρ=2.3×1-0 3Ω.cm。
张庆丰谷锦华郭学军郑文卢景霄
关键词：电子束蒸发光电性能
甚高频对微晶硅薄膜微观结构的影响(英文)
2008年
系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显大于射频沉积速度,并且制备出的太阳能电池效率同样高于射频沉积.一般情况下,当沉积速率提高时,沉积薄膜中存在大量悬挂键和Si-2H键等缺陷,会大大降低材料的光电性能,同样也会降低太阳能电池的效率.在保证材料的光电性能的前提下提高沉积速度,沉积参数需要优化.在系列优化沉积参数后,微晶硅沉积速率达到0.75nm/s,在该沉积速率下,制备出的单结n-i-p结构的太阳能电池效率达到5.41%.
卢景霄文书堂郭学军李瑞张磊
关键词：微晶硅薄膜太阳能电池
低温沉积硅薄膜微结构的Raman分析被引量：2
2007年
用Raman散射谱研究了以SiH4/H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备的一系列硅薄膜的微结构特征。结果表明:在常规气压和常规功率下,衬底温度在200～500℃之间,存在结晶最佳点,400℃结晶效果相对最好;在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比,高压高功率更有利于薄膜晶化;低温短时的高气压高功率沉积,玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比,玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大,而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高。
张丽伟赵剑涛杨根李红菊郭学军卢景霄
关键词：RAMAN硅薄膜微结构
氢化微晶硅薄膜的两因素优化及高速沉积被引量：4
2009年
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD)分别对薄膜沉积参数进行了功率密度—沉积气压和硅烷浓度—气体总流量两因素优化。主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响,结果表明:高沉积压强下,功率密度的提高对微晶硅薄膜(μc-Si∶H)沉积速率的影响减弱,硅烷浓度和气体总流量影响作用相对增强,高硅烷浓度有利于材料的利用,最终在高压强(600Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1nm.s-1。同时,利用分步沉积法对薄膜的纵向结构均匀性进行了初步研究。
申陈海卢景霄陈永生郭学军
关键词：VHF-PECVD生长速率晶化率
电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究被引量：4
2008年
利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3nm/min的条件下制得透过率T>81%,电阻率ρ=1.9×10-3Ω·cm的ITO透明导电膜。另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化。
张庆丰谷锦华郭学军王之健卢景霄
关键词：电子束蒸发光电性能微结构
低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究
2006年
利用等离子体增强(PECVD)法和快速热处理(RTP)法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜。用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究。结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸。
张丽伟张松青卢景霄杨仕娥文书堂杨根郭学军李瑞
关键词：硅薄膜晶粒尺寸再结晶
功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响被引量：3
2008年
在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.
郭学军卢景霄文书堂杨根陈永生张庆丰谷锦华
关键词：VHF-PECVD功率密度
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