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张庆丰

作品数：7 被引量：31H指数：3
供职机构：郑州大学物理工程学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电子束蒸发
  • 4篇ITO薄膜
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 1篇电池
  • 1篇电极
  • 1篇电特性
  • 1篇氧分压
  • 1篇甚高频
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇功率
  • 1篇功率密度
  • 1篇光电特性

机构

  • 7篇郑州大学
  • 2篇焦作师范高等...

作者

  • 7篇张庆丰
  • 5篇卢景霄
  • 5篇郭学军
  • 3篇郑文
  • 3篇谷锦华
  • 3篇陈永生
  • 2篇郭战营
  • 2篇文书堂
  • 1篇杨根
  • 1篇陈庆东
  • 1篇高哲
  • 1篇许安涛
  • 1篇申陈海
  • 1篇郜小勇
  • 1篇蒋海涛
  • 1篇王之健

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇信阳师范学院...
  • 1篇真空
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2009
  • 5篇2008
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
氧分压与沉积速率对ITO薄膜性能的影响被引量：3
2009年
本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响。研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势。对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善。
郭战营许安涛张庆丰郜小勇
关键词：ITO薄膜电子束蒸发禁带宽度
浮法玻璃的铝诱导表面织构研究被引量：3
2008年
本文采用铝诱导表面织构方法,在浮法玻璃表面成功地制备了陷光结构:采用快速辐射加热法对蒸镀约200 nm厚Al膜的浮法玻璃基片进行了一定时间的热处理,然后分别经H3PO4和HF/HNO3的混合溶液腐蚀。借助扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计研究了热处理和HF/HNO3混合溶液处理的时间对玻璃表面织构形貌及陷光特性的影响。实验发现,快速辐射加热法退火2 h,就可在玻璃表面形成较好的陷光织构,织构的特征尺寸较小时,陷光作用较好。
郑文陈永生卢景霄郭学军张庆丰高哲
关键词：浮法玻璃
甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究被引量：13
2008年
采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.
郭学军卢景霄陈永生张庆丰文书堂郑文申陈海陈庆东
关键词：微晶硅薄膜
快速光退火对ITO薄膜结构和性能的改善被引量：4
2008年
利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响,致力于在低温退火工艺下改善薄膜性能。通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的增大,禁带宽度逐渐增大;对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长,样品的微结构致密性提高,各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体;但退火温度过高或退火时间过长反而不利于透明导电膜性能的提高,所以选取合适的退火温度和退火时间是光退火下透光性和导电性都得到提升的关键。在200°C的退火温度下,退火12 m in可实现样品的透光率在可见光范围内达到82%,电阻率ρ=2.3×1-0 3Ω.cm。
张庆丰谷锦华郭学军郑文卢景霄
关键词：电子束蒸发光电性能
薄膜太阳能电池前背电极制备工艺的研究被引量：1
2009年
通过高温工艺或退火工艺均能在合适的条件下获得性能良好的ITO透明导电薄膜,但通过扫描电镜(SEM)发现这两种制备方式所得样品具有很大的表面形貌差异.在薄膜电池前电极的制备过程中为了增强其陷光作用应采用直接制备的方法,而为了增强A l背电极的光反射作用,背部的透明导电膜应采用在合适温度下的退火工艺.
郭战营蒋海涛张庆丰
关键词：ITO薄膜电子束蒸发前电极背电极
电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究被引量：4
2008年
利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3nm/min的条件下制得透过率T>81%,电阻率ρ=1.9×10-3Ω·cm的ITO透明导电膜。另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化。
张庆丰谷锦华郭学军王之健卢景霄
关键词：电子束蒸发光电性能微结构
功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响被引量：3
2008年
在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.
郭学军卢景霄文书堂杨根陈永生张庆丰谷锦华
关键词：VHF-PECVD功率密度
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