卢景霄
- 作品数：181 被引量：449H指数：12
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 机械刻槽深埋电极太阳电池中二氧化硅层的制备被引量：2
- 2000年
- 结合实验室制备机械刻槽深埋电极太阳电池的工艺过程及实验结果 ,给出二氧化硅层参数的最佳设计及制备方法 .实验结果表明 ,10 0 0℃氧化温度下采用干 -湿 -干氧化法 ,经过 70分钟可生长 35 0 nm～45 0 nm厚的二氧化硅层 .这不仅大大缩短了高温氧化时间 ,降低了生产成本 。
- 郜小勇卢景霄李维强
- 关键词：太阳电池分凝系数掩蔽层二氧化硅
- 以n型硅为衬底的异质结太阳能电池优化设计的数值模拟
- 本文采用AFOR-HET软件系统研究了各层参数对p型薄膜硅/n型晶体硅异质结太阳电池光伏特性的影响。结果表明：透明导电膜的功函数WTCO和p型薄膜硅发射层的带隙宽度对异质结太阳电池性能的影响较大，为了得到性能优异的异质结...
- 赵会娟谷锦华杨仕娥郜小勇陈永生卢景霄
- 关键词：太阳能电池优化设计
- 文献传递
- 利用快速热退火法制备多晶硅薄膜被引量：12
- 2005年
- 为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响。
- 冯团辉卢景霄张宇翔郜小勇杨仕娥李瑞靳锐敏王海燕
- 关键词：多晶硅薄膜太阳能电池晶粒
- PECVD制备微晶硅薄膜生长过程的模拟
- 研究沉积功率、压强在甚高频等离子体化学气相沉积沉积(VHE-PECVD)微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中对沉积速率和薄膜性质的影响,采用Chemkin-pro中的AUROR模块,对气相反应和表面生长过程进行了数值模拟....
- 陈喜平陈永生李新利郝秀丽李瑞卢景霄
- 关键词：微晶硅
- 多孔硅中氧、碳、氮行为的研究
- 本文用化学腐蚀法在多晶硅片上制作多孔硅,通过不同的热处理过程,对多孔硅的表面微结构的SEM测量,分析了其表面结构特点。通过SEM、X—EDS、Raman及XPS研究了氧在多孔硅层中的主要热行为。论述了在多孔硅用于太阳能电...
- 王海燕段启亮卢景霄孙晓峰陈泳生冯团辉李瑞
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述被引量：6
- 2004年
- 论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。
- 冯团辉卢景霄张宇翔郜小勇王海燕靳锐敏
- 关键词：激光晶化炉子快速热退火A-SI:H薄膜非晶硅薄膜
- 射频磁控溅射低温制备ITO薄膜
- 利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25sccm、溅射功率210W、溅射压强...
- 王秀娟谷锦华陈永生郜小勇杨仕娥卢景霄
- 关键词：射频磁控溅射法工艺参数光电性能
- 文献传递
- 甚高频对微晶硅薄膜微观结构的影响(英文)
- 2008年
- 系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显大于射频沉积速度,并且制备出的太阳能电池效率同样高于射频沉积.一般情况下,当沉积速率提高时,沉积薄膜中存在大量悬挂键和Si-2H键等缺陷,会大大降低材料的光电性能,同样也会降低太阳能电池的效率.在保证材料的光电性能的前提下提高沉积速度,沉积参数需要优化.在系列优化沉积参数后,微晶硅沉积速率达到0.75nm/s,在该沉积速率下,制备出的单结n-i-p结构的太阳能电池效率达到5.41%.
- 卢景霄文书堂郭学军李瑞张磊
- 关键词：微晶硅薄膜太阳能电池
- 用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
- 2007年
- 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。
- 张丽伟李红菊李瑞卢景霄张宇翔王新昌
- 关键词：硅薄膜快速热退火扫描电子显微镜
- 机械刻槽埋栅硅太阳电池化学镀工艺的改进被引量：3
- 2003年
- 采用辅助超声方法较好地解决了埋栅硅太阳电池化学镀铜经常发生槽内空洞和镀不满的现象 ,使电池串联电阻由 0 .5Ω降为 0 .1Ω .在化学镀银过程中 ,采用聚四氟乙烯材料作容器 ,避免了银沉积容器内壁 .镀液中加入络合剂 -氨水 ,可较好地控制反应 。
- 谷锦华卢景霄李维强
- 关键词：化学镀工艺串联电阻化学镀铜化学镀银
