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白国仁

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇硅
  • 1篇单晶
  • 1篇对称性破缺
  • 1篇氧化物
  • 1篇液氮温区
  • 1篇破缺
  • 1篇氢分子
  • 1篇温度效应
  • 1篇温区
  • 1篇相互作用
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇硅单晶
  • 1篇分子
  • 1篇高温超导
  • 1篇高温超导薄膜
  • 1篇氢
  • 1篇IR

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇白国仁
  • 2篇谢雷鸣
  • 1篇陈建民
  • 1篇周建坤
  • 1篇陶卫
  • 1篇刘玉琼
  • 1篇宗家庭
  • 1篇施天生
  • 1篇章熙康
  • 1篇王蓉

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学（A...

年份

  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 4 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
含氢硅单晶2210cm^(-1)IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺被引量：1
1989年
本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^(-1)IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_(2d)对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_(2d)亚稳态及高于200K的D_(2d)稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^(-1)IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。
陈建民谢雷鸣白国仁周建坤
关键词：硅单晶温度效应
一种金属氧化物超导薄膜的制备方法
本发明是一种金属氧化物高温超导薄膜的制备技术。它用钇、钡、铜金属有机物或铋、锶、钙、铜金属有机物或铊、钙、钡、铜金属有机物作有机源，在改进的金属有机物化学气相沉积系统中，氧参与的情况下，以等离子激励，代替或增强热解反应，...
白国仁陶卫谢雷鸣王蓉宗家庭章熙康刘玉琼
文献传递
硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用
1989年
利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.
施天生白国仁
关键词：硅氢
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