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陶卫

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇超导
  • 3篇超导薄膜
  • 2篇氧化物
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇高温超导
  • 1篇液氮温区
  • 1篇温区
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇高温超导薄膜
  • 1篇SRTIO
  • 1篇YBCO
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD法
  • 1篇MOCVD法...
  • 1篇超导膜

机构

  • 3篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇陶卫
  • 1篇温树林
  • 1篇谢雷鸣
  • 1篇刘玉琼
  • 1篇宗家庭
  • 1篇白国仁
  • 1篇施天生
  • 1篇朱健
  • 1篇章熙康
  • 1篇吴自良
  • 1篇王蓉

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种金属氧化物超导薄膜的制备方法
本发明是一种金属氧化物高温超导薄膜的制备技术。它用钇、钡、铜金属有机物或铋、锶、钙、铜金属有机物或铊、钙、钡、铜金属有机物作有机源，在改进的金属有机物化学气相沉积系统中，氧参与的情况下，以等离子激励，代替或增强热解反应，...
白国仁陶卫谢雷鸣王蓉宗家庭章熙康刘玉琼
文献传递
MoCVD法生长的YBCO/SrTiO_3超导薄膜的显微结构和缺陷
1992年
用 X 射线衍射和高分辨电镜研究了 MOCVD 法生长的 YBCO/SrTiO_3超导薄膜的显微结构和缺陷.发现在 T_c≈80K,J_c 近似10~4A/cm^2的 c 轴择优取向的薄膜中,存在着非晶型夹杂,杂相和其它取向的123相,它们可能是限制薄膜超导性能进一步提高和导至重复性差的主要原因.
朱健陶卫施天生温树林
关键词：高温超导MOCVD超导薄膜
金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺
一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺，其特征在于维持反应室压力为66.5～133帕的低压，衬底温度700～850℃，有机源升华温度80～250℃，反应室氧分压为13.3～93帕，用...
陶卫吴自良
文献传递
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