周建坤
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信理学更多>>
- 含氢硅单晶2210cm^(-1)IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺被引量：1
- 1989年
- 本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^(-1)IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_(2d)对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_(2d)亚稳态及高于200K的D_(2d)稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^(-1)IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。
- 陈建民谢雷鸣白国仁周建坤
- 关键词：硅单晶温度效应
- 离子束增强沉积合成氮化钛薄膜的计算机模拟
- 1991年
- 本文建立了一个适用于描述离子束增强沉积(Ion Beam Enhanced Deposition,即IBED)过程的Monte-Carlo计算机模拟程序。程序由离子注入计算和蒸发沉积计算两大部分组成。离子注入计算以二体碰撞近似为基础,以随机固体为靶模型,对入射离子和所有反冲原子的力学运动进行跟踪。程序中考虑了沉积原子对靶室中某些残余气体分子的吸附;还表达了靶的组份及密度在IBED过程中的不断变化,从而实现了靶的动态化。该程序可以提供IBED薄膜组份的深度分布、界面混合以及能量沉积等信息。计算结果表明,在IBED氮化钛薄膜中,Ti沉积速率对薄膜组份有很大影响。当沉积速率较低时,薄膜组份基本与注入离子和沉积原子的到达率比(N/Ti)无关。膜与基体间的混合层厚度随离子原子到达率比(N/Ti)增加而增加。计算结果与实验测试结果符合很好。
- 王曦周建坤陈酉善柳襄怀邹世昌
- 关键词：离子束氮化钛计算机
- TiN薄膜的合成及其性能研究被引量：1
- 1990年
- 用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积的薄膜则是无定形的;用离子束增强沉积制备的TiN薄膜,其氧含量明显小于无离子束轰击薄膜的值;在TiN薄膜和衬底之间存在一个界面混合区,厚度为40um左右。机械性能测试表明,TiN薄膜具有高的显微硬度,低的摩擦系数。
- 周建坤柳襄怀陈酉善王曦郑志宏黄巍邹世昌
- 关键词：TIN膜离子束
- 离子束增强沉积制备氮化钛薄膜的计算机模拟
- 黄巍王曦周建坤
- 关键词：计算机模拟氮化钛离子束离子注入
- 离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟被引量：2
- 1989年
- Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Ziegler,Biersack,Littmark)最新的二体势和电子阻止本领.模拟计算中,用一个间断交替的薄膜生长过程(先沉积一层硅原子,然后注入一定量的氮离子)来代替实验上一个沉积原子和离子轰击同时进行的连续过程,且在注入一定量的离子后,对每层原子的组份,密度进行修正,使模拟达到动态化.计算结果表明,薄膜组份比随离子原子到达比的变化关系以及组份的深度分布和实验符合很好.
- 周建坤陈酉善柳襄怀杨根庆邹世昌
- 关键词：离子束氮化硅计算机模拟
