您的位置： 专家智库 > >

余中和

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体材料
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇换管
  • 2篇半导体
  • 2篇背景温度

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇方家熊
  • 2篇陈咬齐
  • 2篇余中和
  • 2篇章莲妹
  • 2篇肖继荣
  • 2篇唐荷珍
  • 2篇徐震
  • 2篇王勤
  • 1篇刘激鸣

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
固体区熔法制备响应1－3微米碲镉汞晶体材料的方法
本发明属于化合物半导体与晶体生长领域。提供一种1-3微米碲镉汞晶体材料的制备方法。工艺流程包括：料管清洗，烘烤，配料，排气封管，合成，换管，单晶生长，切片，热处理。本发明解决了上下背景温度的选择、熔区宽度的选择、椭圆石英...
刘激呜余中和徐震王勤方家熊章莲妹唐荷珍肖继荣陈咬齐
文献传递
固体区熔生长1—3微米碲镉汞晶体材料的方法
本发明属于化合物半导体与晶体生长领域。提供一种1—3微米碲镉汞晶体材料的制备方法。工艺流程包括:料管清洗,烘烤,配料,排气封管,合成,换管,单晶生长,切片,热处理。本发明解决了上下背景温度的选择、熔区宽度的选择、椭圆石英...
刘激鸣余中和徐震王勤方家熊章莲妹唐荷珍肖继荣陈咬齐
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0