您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇碲镉汞
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体材料
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇换管
  • 2篇红外
  • 2篇半导体
  • 2篇背景温度
  • 2篇HGCDTE
  • 1篇短波
  • 1篇多模
  • 1篇多模光纤
  • 1篇星载
  • 1篇星载系统
  • 1篇遥感
  • 1篇遥感仪
  • 1篇遥感仪器
  • 1篇扫描辐射计

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 5篇方家熊
  • 5篇王勤
  • 2篇陈咬齐
  • 2篇余中和
  • 2篇章莲妹
  • 2篇肖继荣
  • 2篇唐荷珍
  • 2篇徐震
  • 1篇司承才
  • 1篇周书铨
  • 1篇陆慧庆
  • 1篇李言谨
  • 1篇龚海梅
  • 1篇宣荣伟
  • 1篇张胜坤
  • 1篇刘激鸣
  • 1篇胡新文
  • 1篇徐国森
  • 1篇赵军
  • 1篇朱三根

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
红外光纤与1~3μm HgCdTe红外探测器组合
1996年
以红外光纤和HgCdTe探测器组合构成带尾纤的新型组合件,组合件给光学系统的设计和结构以更多的随意性,并能有效地减小杂散光的干扰。
周书铨王勤司承才宣荣伟方家熊
关键词:多模光纤红外探测器红外光纤HGCDTE
短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响
1999年
利用变频导纳谱研究了Hg1-xCdxTe(x=0.6)n+-on-p结中的深能级缺陷,得到其缺陷能级位置在价带上0.15eV,同时给出了其俘获截面和缺陷密度,初步认为是Hg空位或与其相关的复合缺陷.根据深能级的有关参数,估算了器件的少子寿命和器件优值参数R0A.
胡新文李向阳王勤陆慧庆赵军方家熊张胜坤
关键词:汞镉碲光电二极管红外器件
固体区熔法制备响应1-3微米碲镉汞晶体材料的方法
本发明属于化合物半导体与晶体生长领域。提供一种1-3微米碲镉汞晶体材料的制备方法。工艺流程包括:料管清洗,烘烤,配料,排气封管,合成,换管,单晶生长,切片,热处理。本发明解决了上下背景温度的选择、熔区宽度的选择、椭圆石英...
刘激呜余中和徐震王勤方家熊章莲妹唐荷珍肖继荣陈咬齐
文献传递
固体区熔生长1—3微米碲镉汞晶体材料的方法
本发明属于化合物半导体与晶体生长领域。提供一种1—3微米碲镉汞晶体材料的制备方法。工艺流程包括:料管清洗,烘烤,配料,排气封管,合成,换管,单晶生长,切片,热处理。本发明解决了上下背景温度的选择、熔区宽度的选择、椭圆石英...
刘激鸣余中和徐震王勤方家熊章莲妹唐荷珍肖继荣陈咬齐
文献传递
航天用碲镉汞红外光导探测器
介绍该所研制的,成功应用在“FY-1”、“FY-2”遥感仪器上HgCdTe红外探测器的工作性能,并介绍其它研制的星载遥感仪器上的各类HgCdTe红外探测研制性能。
徐国森方家熊朱三根李言谨王勤龚海梅
关键词:星载系统气象卫星扫描辐射计遥感仪器
共1页<1>
聚类工具0