肖继荣
- 作品数：8 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响被引量：6
- 2005年
- 利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。
- 亢勇李雪肖继荣靳秀芳李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：GAN伏安特性退火肖特基势垒
- 碲镉汞远红外回旋共振和电子有效质量
- 1993年
- 用远红外激光磁光光谱系统测量了N-Hg_(1-x)Cd_xTe(x≈0.2)的回旋共振,同时用三带模型从理论上计算了样品的朗道能级、电子有效质量和有效g-因子,从回旋共振有效质量的实验值与理论值的比较中获得了带底有效质量及g-因子及其与温度和组份的关系。
- 刘普霖陆晓峰陆卫褚君浩肖继荣沈学础M.von Ortenberg
- 关键词：碲镉汞能级
- 真空热退火对GaN金属—半导体—金属肖特基紫外探测器伏安特性的影响
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属(MSM)交叉指型肖特基紫外探测器.研究了真空热退火对器件伏安特性的影响.结果分析表明Au填充N定位形成了施主型杂质是退火后势垒升高...
- 亢勇李雪肖继荣靳秀芳李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：伏安特性肖特基势垒紫外探测器
- 文献传递
- 碲镉系导带电子回旋共振线形分析
- 1994年
- 用远红外激光磁光光谱实验系统测量了Ｎ型碲镉汞的导带电子回旋共振，记录了远红外激光入射下的高分辨回旋共振线形．计算表明，这些线形的特征及其与一些物理量的关系可用经典的Ｄｒｕｄｅ－模型很好地描述．此外，还用理论与实验拟合的方法获得了载流子弛豫时间τ，并与由弱场低频下迁移率得出的弛豫时间τ作了比较，对两者差别的理论问题作了讨论．
- 刘普霖陆卫陆晓峰褚君浩肖继荣沈学础
- 关键词：导带激光磁光
- 固体区熔法制备响应1－3微米碲镉汞晶体材料的方法
- 本发明属于化合物半导体与晶体生长领域。提供一种1-3微米碲镉汞晶体材料的制备方法。工艺流程包括：料管清洗，烘烤，配料，排气封管，合成，换管，单晶生长，切片，热处理。本发明解决了上下背景温度的选择、熔区宽度的选择、椭圆石英...
- 刘激呜余中和徐震王勤方家熊章莲妹唐荷珍肖继荣陈咬齐
- 文献传递
- HgCdTe晶体的本征载流子浓度的应用被引量：1
- 1990年
- HgCdTe晶体的本征激发决定于组份和温度。本征载流子浓度与组份、温度的关系早已得到广泛、深入的研究。由于自由载流子来源于杂质激发与本征激发,如果把杂质的影响考虑进去,就可以由本征载流子浓度推算出在高于77K的任何温度下的载流子浓度。反过来,如果知道处于本征激发占主导地位的某一温度时(如室温)的载流子浓度。
- 肖继荣
- 关键词：HGCDTE晶体
- 固体区熔生长1—3微米碲镉汞晶体材料的方法
- 本发明属于化合物半导体与晶体生长领域。提供一种1—3微米碲镉汞晶体材料的制备方法。工艺流程包括:料管清洗,烘烤,配料,排气封管,合成,换管,单晶生长,切片,热处理。本发明解决了上下背景温度的选择、熔区宽度的选择、椭圆石英...
- 刘激鸣余中和徐震王勤方家熊章莲妹唐荷珍肖继荣陈咬齐
- 文献传递
- 六十元线列碲镉汞长波红外探测器
- 汤定元方家熊沈杰徐国森张林法邱惠国肖继荣朱三根朱龙源唐军林杏朝黄建新李言谨
- 该成果攻克了制备高质量晶体件工艺的多项高难度技术，研制成功了高性能光导型单片60元线列碲镉汞长波红外探测器。开发了大面积晶片低损伤减薄、表面处理及纯化膜光敏元的精密成形、延伸电极等工艺，基本建立了一套单片60元线列芯片的...
- 关键词：
- 关键词：碲镉汞红外探测器
