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6 条 记 录,以下是 1-6
洪根深
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周淼
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射 击穿电压 SOI_LDMOS 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐海铭
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:单粒子 半导体功率器件 抗辐射 淀积 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖志强
供职机构:电子科技大学
研究主题:SOI 互联 抗辐射 总剂量 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高向东
供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射 抗辐射 总剂量 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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