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刘津

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

领域

  • 6个理学
  • 5个电子电信
  • 4个环境科学与工...
  • 1个电气工程
  • 1个一般工业技术
  • 1个文化科学

主题

  • 6个单晶
  • 6个位错
  • 6个位错密度
  • 6个温度梯度
  • 6个GAAS单晶
  • 6个GAAS晶体
  • 4个载流子
  • 4个载流子浓度
  • 4个砷化镓
  • 4个砷化镓材料
  • 4个漂移速度
  • 4个半绝缘
  • 4个半绝缘砷化镓
  • 4个EPD
  • 3个英寸
  • 3个砷化镓单晶
  • 3个晶体
  • 3个晶体生长
  • 3个半绝缘砷化镓...
  • 3个SI

机构

  • 6个中国电子科技...
  • 1个天津大学
  • 1个电子部

资助

  • 2个国家部委资助...

传媒

  • 6个人工晶体学报
  • 4个半导体技术
  • 4个科技创新导报
  • 3个第十三届全国...
  • 2个天津科技
  • 2个电子工业专用...
  • 1个中国有色金属...

地区

  • 6个天津市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
李仕福
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：GAAS晶体 GAAS单晶 温度梯度 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周传新
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：GAAS晶体 GAAS单晶 VGF P型 温度梯度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
兰天平
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF 砷化镓 位错密度 VB GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建利
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 GAAS晶体 VB EPD 漂移速度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛沈军
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：位错密度 砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙强
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：砷化镓 砷化镓材料 位错密度 VGF 单晶生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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