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耿习娇

作品数：6 被引量：5H指数：1
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地区

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 键合 二维电子气 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 MMIC 功率放大器 单片集成电路 多倍频程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晓军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 位错 微管 GAN薄膜 金属有机物化学气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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