陆海燕
- 作品数：28 被引量：26H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模被引量：1
- 2019年
- 给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.
- 徐忠超刘军钱峰陆海燕程伟周文勇
- 关键词：等效电路模型太赫兹
- 自对准栅金刚石MESFET器件研究
- 2013年
- 基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。
- 周建军柏松陈刚孔岑耿习娇陆海燕孔月婵陈堂胜
- 关键词：金刚石
- InP太赫兹功率放大器芯片被引量：2
- 2018年
- 太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9mm。图1和图2 分别展示了芯片的实物照片和测试结果。
- 孙岩程伟陆海燕王元王宇轩孔月婵陈堂胜
- 关键词：功率放大器芯片面积太赫兹INPHBT工艺小信号增益
- 基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器被引量：1
- 2015年
- 南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。
- 程伟张有涛王元陆海燕常龙谢俊领
- 关键词：静态分频器HBT工艺INP二分频
- 51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器
- 2013年
- 南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）GaNHEMT圆片工艺，通过E模器件和E／D集成技术，在国内率先实现了5l级GaNE／D集成环形振荡器，工作电压为6V时振荡频率达404MHz，级延时为24．3ps。
- 孔月婵周建军孔岑董逊张有涛陆海燕陈堂胜
- 关键词：环形振荡器集成技术振荡频率工作电压圆片
- 基于InP DHBT工艺的13 GHz 1:8量化降速电路
- 2016年
- 磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用InP DHBT超高速数模混合电路进行数据的采集与转换。
- 程伟张有涛李晓鹏王元常龙谢俊领陆海燕
- 关键词：DHBT
- 基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器被引量：4
- 2015年
- 磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220
- 程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌
- 关键词：单片集成INPDHBT磷化铟功率增益亚毫米波
- fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT被引量：1
- 2011年
- 数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。
- 程伟赵岩王元陆海燕高汉超陈辰杨乃彬
- 关键词：INGAAS共基极毫米波单片集成电路数模混合电路HBT器件通信系统
- 基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
- 2024年
- 实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流增益截止频率达到460 GHz,最高振荡频率为720 GHz。同时研制出340 GHz低噪声放大器芯片,在310~350 GHz内小信号增益22~27 dB,噪声系数在8 dB以下。建立了340 GHz InP低噪声放大器芯片技术平台,为太赫兹低噪声单片微波集成电路的发展奠定基础。
- 孙远陈忠飞陆海燕吴少兵任春江王维波章军云
- 关键词：电子束直写低噪声放大器
- 基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
- 2016年
- 针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器。图2为静态分频器及动态分频器实测结果。
- 程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领
- 关键词：分频器HZINPDHBT数模混合电路截止频率
