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王向武

作品数：26 被引量：35H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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  • 7个电气工程
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  • 1个文化科学
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主题

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  • 14个掺杂
  • 14个GAAS
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  • 10个电子迁移率
  • 10个迁移率
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机构

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  • 3个长春光学精密...
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  • 3个中国电子科技...
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资助

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传媒

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地区

  • 14个江苏省
  • 2个吉林省
  • 1个安徽省
  • 1个陕西省
共 19 条 记 录，以下是 1-10
陆春一
供职机构：信息产业部
研究主题：硅 硅外延 自掺杂 英寸 硅外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱凯
供职机构：中国科学院固体物理研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方小华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 异质结 MBE生长 英文 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张岚
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 MOCVD生长 SEM 4H-SIC ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建炉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄子乾
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PIN二极管 GAAS 砷化镓 单片 金属有机化合物气相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机化合物气相淀积 ALGAAS 异质结双极晶体管 MOVPE GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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