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方小华

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇异质结
  • 2篇英文
  • 2篇晶体管
  • 2篇MBE生长
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇异质结材料
  • 1篇迁移率
  • 1篇微波毫米波
  • 1篇毫米波
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇PHP
  • 1篇HFET

机构

  • 5篇南京电子器件...

作者

  • 5篇谢自力
  • 5篇方小华
  • 5篇王向武
  • 5篇邱凯
  • 4篇陈建炉
  • 4篇尹志军
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇将朝晖
  • 1篇高建峰

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GaAs基异质结材料MBE生长及应用
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应...
邱凯尹志军谢自力方小华王向武将朝晖陈建炉
关键词：分子束外延半导体材料
文献传递
分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)
2000年
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。
谢自力邱凯尹志军方小华王向武陈堂胜
关键词：场效应晶体管分子束外延生长INGAAS/GAAS异质结
PHEMT结构材料及器件被引量：7
2002年
概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
谢自力邱凯尹志军方小华陈建炉王向武陈堂胜高建峰
关键词：微波毫米波分子束外延异质结二维电子气
优化生长应变InGaAs结构在HFET中应用
邱凯方小华谢自力王向武陈建炉
关键词：HFETINGAAS
PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)
2001年
我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲层 ,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果。
邱凯尹志军谢自力方小华王向武将朝晖陈建炉
关键词：分子束外延
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