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尹志军

作品数：28 被引量：16H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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邱凯
供职机构：中国科学院固体物理研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS INGAAS DHBT 费米能级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建炉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方小华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 异质结 MBE生长 英文 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC H型 碳化硅 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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