高汉超
- 作品数：24 被引量：21H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究
- 2022年
- 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管(DHBT)分子束外延生长工艺。通过In原子补偿工艺,补偿基区InGaAs材料中被CBr_(4)刻蚀的In原子,调整In组分使InGaAs-C外延层与InP衬底晶格匹配。通过界面层Ⅴ族元素切换工艺,减少InP/InGaAs界面层四元合金材料的形成,避免四元合金界面对后续湿法工艺的影响,降低材料表面粗糙度。利用优化后的材料外延工艺,得到表面颗粒密度为15/cm^(2),基区InGaAs-C材料P型掺杂浓度为5.25×10^(19)cm^(-3),方阻非均匀性为0.5%的InP基DHBT完整结构材料,利用0.7μm InP DHBT工艺平台,得到增益为41、击穿电压为4 V、截止频率为341 GHz、最大震荡频率为333 GHz的InP基DHBT器件。
- 于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉
- 关键词：分子束外延铟镓砷
- 固态源分子束外延生长碳掺杂InGaAs材料研究
- 2022年
- 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,系统研究了半绝缘InP衬底上碳掺杂InGaAs材料的外延工艺。为得到高质量高浓度P型掺杂InGaAs材料,分别对外延过程中的脱膜工艺、P/As切换工艺以及生长温度等关键参数进行研究。通过扫描透射电子显微镜(STEM)测量衬底表面氧化膜厚度,量化氧化膜厚度与脱膜时间的关系。通过P/As束流切换工艺,得到无P/As互混的InP/InGaAs界面。研究CBr_(4)束流对InGaAs外延层中In组分的影响,以及不同CBr_(4)束流对应的P型掺杂InGaAs材料载流子浓度和迁移率,研究CBr_(4)束流以及外延生长温度对InGaAs材料表面形貌和电学性能的影响。当CBr_(4)束流为26.66 Pa,生长温度为480℃时,可以得到载流子浓度为1×10^(20)cm^(-3),表面平整的高质量碳掺杂InGaAs材料。
- 于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉
- 关键词：分子束外延铟镓砷氧化膜
- 重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
- 重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研...
- Hanehao Gao高汉超Zhijun Yin尹志军Wei Cheng程伟Yuan Wang王元Xiaojun Xu许晓军Zhonghui Li李忠辉
- 关键词：化合物半导体费米能级
- 半导体自旋电子学的研究与应用进展被引量：1
- 2007年
- 自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科.自旋电子器件与普通半导体电子器件相比具有不挥发、低功耗和高集成度等优点.本文介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、自旋注入、自旋探测以及自旋输运等.本文综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.
- 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳陈弘周均铭
- 关键词：半导体自旋电子学磁性半导体
- 最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
- 2013年
- 太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
- 程伟王元赵岩陆海燕牛斌高汉超
- 关键词：最高振荡频率太赫兹DHBT异质结双极型晶体管集成功率放大器
- 金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究
- 本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜，然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。...
- 尹志军高汉超张朱峰许晓军李忠辉
- 关键词：光电子材料纳米线分子束外延生长
- 文献传递
- 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
- 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭
- 关键词：分子束外延砷化镓衬底
- As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究被引量：1
- 2020年
- 采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条件下,表面均方根粗糙度(RMS)为0.205 nm,单边卫星峰达20级,一级卫星峰的半高宽(FWHM)为145.05 arc sec,表明界面控制良好。
- 王伟高汉超于海龙马奔尹志军李忠辉
- 关键词：分子束外延INGAAS/INP
- 基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究
- 2013年
- 重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。
- 高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉
- 关键词：GAASSBHBT费米能级
- fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT被引量：1
- 2011年
- 数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。
- 程伟赵岩王元陆海燕高汉超陈辰杨乃彬
- 关键词：INGAAS共基极毫米波单片集成电路数模混合电路HBT器件通信系统
