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杨国勇

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 6个北京市
  • 2个江苏省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 软击穿 半导体器件 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件 可靠性 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王金延
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 探测器 刻蚀 湿法刻蚀 开启电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛凌锋
供职机构：苏州大学
研究主题：FN振荡电流 直接隧穿 场效应晶体管 MOS结构 ULTRATHIN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王子欧
供职机构：苏州大学
研究主题：存储器 电路 反相器 电性 输入端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘东明
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：LDD DRAIN CURRENT CP RAP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段小蓉
供职机构：北京大学
研究主题：软击穿 超薄栅氧化层 MOS器件 N-MOSFET 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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