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赵寄

作品数：2 被引量：4H指数：2
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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领域

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主题

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机构

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地区

  • 3个湖北省
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  • 1个湖南省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
李艳萍
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
研究主题：MOSFET 高K栅介质 阈值电压 短沟道效应 阈值电压模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈卫兵
供职机构：湖南工业大学计算机与通信学院
研究主题：高K栅介质 MOSFET 阈值电压 短沟道效应 电路设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹建平
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：PMOS 反型层 蒙特卡罗 迁移率 应变硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静平
供职机构：华中科技大学
研究主题：高K栅介质 MOS电容 MOSFET 栅介质 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭耀华
供职机构：清华大学
研究主题：PMOS 反型层 蒙特卡罗 迁移率 应变硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹晓
供职机构：华中科技大学
研究主题：界面层 MOS电容 栅介质 高K栅介质 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余志平
供职机构：清华大学
研究主题：石墨烯 集成电路设计 螺旋电感 射频 场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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