邹建平
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟被引量：1
- 2005年
- 利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究 .在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中 ,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制 .在 77～ 30 0K的温度范围内 ,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究 .模拟结果显示 ,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响 ,避免自旋极化率衰减 ,增大自旋散射长度 .栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大 ,并产生负跨导效应 .
- 邹建平田立林余志平
- 关键词：蒙特卡罗方法
- 应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究被引量：2
- 2006年
- 对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移率进行了模拟研究,得出了沟道迁移率随垂直于沟道电场变化的曲线,并与常规的非应变硅pMOS迁移率进行了比较.模拟结果显示:无论是单轴压应力还是双轴张应力,都使得空穴迁移率增大.当单轴压应力沿着[110]沟道时,迁移率增大的幅度最大,平均增幅可达到170%左右.
- 赵寄邹建平谭耀华余志平
- 关键词：应变硅迁移率
