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刘东明

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
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共 4 条 记 录，以下是 1-4
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 软击穿 半导体器件 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件 可靠性 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨国勇
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：ULTRATHIN GATE LDD OXIDE N-MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王金延
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 探测器 刻蚀 湿法刻蚀 开启电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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