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毛凌锋

作品数：37 被引量：29H指数：3
供职机构：苏州大学更多>>
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地区

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共 28 条 记 录，以下是 1-10
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 软击穿 半导体器件 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件 可靠性 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王子欧
供职机构：苏州大学
研究主题：存储器 电路 反相器 电性 输入端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卫建林
供职机构：北京大学
研究主题：直接隧穿 FN振荡电流 可靠性 MOS器件 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱灿焰
供职机构：苏州大学
研究主题：图像加密 存储器 离散数据 三相电网 图像加密算法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪一鸣
供职机构：苏州大学
研究主题：认知无线电 超宽带 误码率 认知网络 无线传感器网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立军
供职机构：苏州大学
研究主题：SRAM 存储器 电路 灵敏放大器 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季爱明
供职机构：苏州大学
研究主题：可重构 灵敏放大器 反相器 体系结构 输出数据
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨国勇
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：ULTRATHIN GATE LDD OXIDE N-MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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